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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.12
- 수록면
- 3,079 - 3,084 (6page)
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펄스 방사선에 의해 전자소자가 받는 영향으로는 Upset, Latchup, Burnout 등이 있다. 이 가운데 Latchup은 대상 소자에 회복 불가능한 영구손상(Permanent Damage)을 가져오게 되며 Burnout으로도 이어져 장비전체에 치명적 기능마비를 유발하기도 한다. 본 연구에서는 전자소자의 내부 공정설계 및 구조정보 활용이 불가능한 상황에서 실험을 통해서 펄스 방사선에 의한 Latchup 발생을 분석하고자 시도하였다. 소자를 전자빔변환 고준위 펄스 감마선 조사한 직후 수행한 전원제공 회로의 차단, 적외선 카메라의 열원측정, 그리고 손상발생 소자의 내부 회로분석의 세 단계별 확인과정은 펄스 방사선에 의해 유발된 Latchup임을 검증하는 효율적 방안으로 여겨진다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - George C. Messenger / 1986 / Transient Radiation Effects on Electronics / IEEE Trans. Nuclear Science 33 (5) : 1125 ~
2. [학술지(정기간행물)] - Mohamed N. Darwish / 1988 / Radiation Effects on Power Integrated Circuits / IEEE Trans. Nuclear Science 35 (6) : 1547 ~ 1551
3. [학술지(정기간행물)] - Chugg, A.M. / 1994 / Ionising Radiation effects: a vital issue for semiconductor electonics / Engineering Science and Education Journal 3 (3) : 123 ~ 130
4. [기타자료] - Tor A. / / Modeling of High-Dose-Rate Transient Ionizing Radiation Effects in Bipolar Devices / Contract AF29(601)-6489
5. [학술지(정기간행물)] - David E. Fulkerson / 2007 / Modeling Ion-Induced Pulses in Radiation-Hard SOI Integrated Circuits / IEEE Transactions on Nuclear Science 3 (3) : 1406 ~ 1505
2. [학술지(정기간행물)] - Mohamed N. Darwish / 1988 / Radiation Effects on Power Integrated Circuits / IEEE Trans. Nuclear Science 35 (6) : 1547 ~ 1551
3. [학술지(정기간행물)] - Chugg, A.M. / 1994 / Ionising Radiation effects: a vital issue for semiconductor electonics / Engineering Science and Education Journal 3 (3) : 123 ~ 130
4. [기타자료] - Tor A. / / Modeling of High-Dose-Rate Transient Ionizing Radiation Effects in Bipolar Devices / Contract AF29(601)-6489
5. [학술지(정기간행물)] - David E. Fulkerson / 2007 / Modeling Ion-Induced Pulses in Radiation-Hard SOI Integrated Circuits / IEEE Transactions on Nuclear Science 3 (3) : 1406 ~ 1505
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