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저자정보
Sang-Hun Jeong (Korea Atomic Energy Research Institute) Nam-Ho Lee (Korea Atomic Energy Research Institute) Jong-Yeol Lee (Chonbuk National University) Seong-Ik Cho (Chonbuk National University)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.8 No.5
발행연도
2013.9
수록면
1,182 - 1,187 (6page)

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Transient radiation is emitted during a nuclear explosion and causes fatal errors as upset and latch-up in CMOS circuits. This paper proposes the transient radiation SPICE models of NMOS, PMOS, and INVERTER based on the transient radiation analysis using TCAD (Technology Computer Aided Design). To make the SPICE model of a CMOS circuit, the photocurrent in the PN junction of NMOS and PMOS was replaced as current source, and a latch-up phenomenon in the inverter was applied using a parasitic thyristor. As an example, the proposed transient radiation SPICE model was applied to a CMOS NAND circuit. The CMOS NAND circuit was simulated by SPICE and TCAD using the 0.18um CMOS process model parameter. The simulated results show that the SPICE results were similar to the TCAD simulation and the test results of commercial CMOS NAND IC. The simulation time was reduced by 120 times compared to the TCAD simulation.
#CMOS #Modeling #TCAD #Latch-up #Transient Radiation Effects(TRE)

목차

Abstract
1. Introduction
2. Tcad Analysis for Spice
3. Transient Radiation Spice Model and its Application
4. Simulation, Experimental Results, and Discussion
5. Conclusion
References

참고문헌 (6)

참고문헌 신청
1. [인터넷자원] - Larry L. / / NUCLEAR EVENT DETECTOR google schola 2. [단행본] - George C Messenger / 1992 / The effects of radiation on electronic systems / Van Nostrand Reinhold, cop. google schola 3. [단행본] - Lewis Cohn. / 1996 / Transient Radiation Effects on Electronics(TREE)Handbook / Defence Nuclear Agency google schola 4. [인터넷자원] - / / http://radhome.gsfc.nasa.gov/ google schola 5. [인터넷자원] - / / https://www.escies.org/ google schola

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