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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1996.1
- 수록면
- 29 - 30 (2page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
1996
High Electron Mobility in Indium - Rich Pseudomorphic InxGa₁-xAs / InyAl₁-yAs / InP HEMT Containing a Linearly - Graded Buffer Structure Grown by MBE
홍상기
,
이해권
,
이재진
외 1명
한국진공학회 학술발표회초록집
1996.02
학술대회자료
AlxGayIn1※yAs ( x + y = 0.47 ~ 8 ) Buffer Structure Design for High Electron Mobility GaInAs / AllnAs Lattice Matched HEMT
홍상기
,
이해권
,
이재진
외 3명
대한전자공학회 학술대회
1996.01
학술대회자료
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1990 .03
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1990 .01
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1989 .11
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1992 .11
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1988 .11
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1999 .09
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1986 .01
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고 gm 을 위한 HEMT 설계
대한전자공학회 학술대회
1986 .12
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