Comparison of NDR Characteristics in RTDs betweem AlGaAs/GaAs and AllnAs/GalnAs SQW Structures

金成振 ,  成萬永 ,  成英權

전기학회논문지

1995 .10

AllnAs / GalnAs 이중접합에서의 과도상태 전자전송의 몬테카를로 시뮬레이션 ( Monte Carlo Simulation of Transient Electron Transport in AllnAs / GalnAs Heterostructure )

박성호 ,  이기준 ,  한백형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

Monte Carlo 모의실험에 의한 AllnAs/GaInAs 변조 도핑구조에서의 Hot-Electron Transport에 관한 연구 ( Monte Carlo Study of Hot-Electron Transport in AllnAs/GaInAs Modulation-Doped Structure )

김충원 ,  박성호 ,  김경석 외 1명

전자공학회논문지

1990 .03

Monte Carlo Simulation of Transient Electron Transport in AllnAs/GaInAs Modulation-Doped Heterostructure

Seong Ho Pa ,  k

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1990 .01

AlxGayIn1※yAs ( x + y = 0.47 ~ 8 ) Buffer Structure Design for High Electron Mobility GaInAs / AllnAs Lattice Matched HEMT

홍상기 ,  이해권 ,  이재진 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성

김성진 ,  이상훈 ,  성영권

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

단일 양자우물 구조의 밴드간 공명터널링 다이오드에서 부성 저항 특성 ( NDR Characteristics of Resonant Interband Tunneling Diodes with Single Quantum Well Structure )

김성진 ,  이상훈 ,  성영권

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

The Current-Voltage Characteristics of DB Resonant Tunneling Diodes Using a Self-Consistent Method

金成振 ,  李尙勳 ,  成英權

전기학회논문지

1993 .12

Winger 분포 함수 모델을 이용한 공명 터널링 다이오드의 해석 ( Analysis of Resonant-Tunneling Diode Using Wigner Distribution Function Model )

권택정 ,  이병호

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

공명투과다이오드를 이용한 논리회로의 응용 연구 ( Study for Digital Logic Circuit Using Resonant Tunneling Diodes )

추혜용 ,  박병운 ,  이창희 외 1명

전자공학회논문지-A

1994 .02

이중장벽 공명투과 다이오드의 물성 ( Physical Properties of Double Barrier Resonant Tunneling Diode )

강태원 ,  홍치유 ,  김순구 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

이중장벽 공명투과 다이오드의 물성

강태원 ,  홍치유 ,  김순구 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

단일 양자 우물 구조로 된 밴드간 공명 터널링 다이오드의 전류 - 전압 특성 ( I - V Characteristics of resonant interband tunneling diodes with single quantum well structure )

김성진 ,  박영석

전자공학회논문지-D

1997 .04

Wigner 분포 함수 모델을 이용한 공명 터널링 다이오드의 해석

권택정 ,  이병호

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

LC 공진 특성을 이용한 공명 터널링 다이오드에서의 capacitance 측정

曺重烈

전기학회논문지

1998 .01

스페이서층 두께변화에 따른 공명터널링 다이오드에서 전류 - 전압 특성의 자기무모순법에 의한 해석 ( Dependence of the Thickness of Spacer Layers on the Current Voltage Characteristics of DB Resonant Tunneling Diodes Analyzed with a Self-Consistent Method )

김성진 ,  이상훈 ,  성영권

전자공학회논문지-A

1994 .03

빛에 의한 공명투과다이오드 진동자의 주파수 변조 특성 ( Optical Modulation Charateristics of Resonant Tunneling Diode Oscillator )

추혜용 ,  이일항

전자공학회논문지-A

1996 .10

Self-Consistent 법에 의한 AlGaAs / GaAs의 이중양자우물 구조 공명터널링 다이오드의 전기적 특성 해석 ( Static I-V Characteristics of DQW Resonant Tunneling Diodes with AlGaAs / GaAs Structure Simulated by a Self-Consistent Method )

김성진 ,  김종관 ,  허윤종 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .07

n+ ―p ― p+ 다이오드의 전압 전류 특성 해석 ( The J-V characteristics of n+ ―p ― p+ diodes )

이미희 ,  장호수 ,  이상조 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

반도체 레이저 다이오드의 2차원 수치해석 ( A Two-dimensional Numerical Analysis of Semiconductor Laser Diodes )

김형래 ,  곽계달

전자공학회논문지-A

1995 .11