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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제5권 제4호
발행연도
2004.8
수록면
354 - 358 (5page)

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본 논문은 HEMT 소자의 전류-전압특성을 해석적으로 모델링한 것으로 n-A1GaAs층의 전자농도를 고려하여 Gauss 법칙과 비선형 전하제어모텔을 이용하여 2DEG의 전자농도를 구하였고, 채널을 부분적으로 2차원적으로 해석하여 포화전압을 도출하였고, 계산된 결과는 n-A1GaAs의 전자농도를 고려하지 않은 결과와 비교하였을 때 비교적 정확한 전류-전압특성을 보이고 있다.
#Quantum-well #HEMT(high electron mobility transistor)

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