Monte Carlo 방법을 이용한 강 전계하의 GaAs , InP 그리고 GaInAs 에서의 전자 전송 특성 결정 ( High field transport properties determination in GaAs , InP and GaInAs by Monte Carlo Method )

김경섭 ,  김동호 ,  오기동 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1988 .11

편광 비의존성 GaInAs/GaInAsP/InP 반도체 광 증폭기 구조에 관한 연구

박윤호 ,  강병권 ,  이석 외 4명

한국정보통신학회논문지

1999 .09

GaInAs / InP Monolithic PIN-FET 광수신기의 설계 ( The Design of GaInAs / InP Monolithic PIN-FET Receiver )

박기성 ,  이용탁

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

LPE에 의한 GaInAs/InP PIN Photodiode의 제작 및 특성 ( A Fabrication and Characterization of GaInAs/InP PIN Photodiode Grown by LPE )

박찬용 ,  남은수 ,  박경현 외 4명

전자공학회논문지

1990 .05

고속 장파장 광통신을 위한 InGaAsP / InP 광검출기의 제작 및 응용 특성 ( Fabrication and application performance of the GaInAs/InP PIN photodiode for the light-wave communication )

남은수 ,  박찬용 ,  홍창희 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

김선운 ,  신동석 ,  이정용 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

n-InP / p-GaInAsP / n-InP 이중 이종접합 구조 트랜지스터 제작 및 특성 ( Fabrication of n-InP / p-GalnAsP / n-InP Double Heterojunction Bipolar Transistor and Its Static Characteristics )

오광룡 ,  김정수 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

n-InP / p-InGaAsP / n-InP 이중 이종접합구조 트랜지스터의 제작과 특성 ( FABRIFICATION OF n-InP / p-InGaAsP / n-InP DOUBLE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS STATIC CHARACTERISTICS )

오광룡 ,  김정수 ,  김상배 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

n-InP / p-GaInAsP / n-InP 이중 이종접합 구조 트랜지스터 제작 및 특성 ( Fabrication of n-InP / p-GaInAsP / N-InP Double Heterojunction Bipolar Transistor and Its Static Characteristics )

오광룡 ,  김정수 ,  주무정 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01

P+ -In_0.53Ga_0.47As/InP의 저항성 접촉 특성

김남준 ,  이재혁 ,  김돈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

InP / InP , InCaAs / InP의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

InP / InP , InCaAs / InP 의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01

Ga_xIn_(1-x) As_(1-y) P_y / InP의 LPE 성장을 위한 Phase Diagram 계산

신동혁 ,  유태환 ,  이용탁 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1984 .11

Effects of magnetic field on the excitonic photoluminescence linewidth due to interfacial quality in GaAs-Al_0.3Ga_0.7As and In_0.53Ga_0.47As-InP quantum well structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1998 .10

Exciton Binding Energies in GaAs-Al_0.3Ga_0.7As and In_0.53Ga_0.47As-InP Quantum Well Structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1997 .12

열로 산화된 InP의 특성에 관한 연구

文東贊 ,  徐英錫 ,  金善泰 외 1명

전기학회논문지

1988 .06

황처리가 금속 / InP Schottky 접촉과 Si3N4 / InP 계면들에 미치는 영향 ( Effects of Sulfur Treatments on metal / Inp Schottky Contact and Si3N4 / InP interfaces )

허준 ,  임한조 ,  김충환 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .12

A self consistent , 2-Dimensional solution of Poisson and Schrodinger equation for the pseudomorphic GaInAs / AlGaAs HEMT Device

Y. J. Song ,  N. S. Kim ,  B. S. Kim 외 1명

대한전자공학회 기타 간행물

1992 .01

반응 용기법을 이용한 InP/ZnS 양자점 합성과정에서 InP 코어의 성장기구

서한욱 ,  정다운 ,  이 빈 외 2명

한국분말야금학회지

2017 .01

Monte Carlo 모의실험에 의한 AllnAs/GaInAs 변조 도핑구조에서의 Hot-Electron Transport에 관한 연구 ( Monte Carlo Study of Hot-Electron Transport in AllnAs/GaInAs Modulation-Doped Structure )

김충원 ,  박성호 ,  김경석 외 1명

전자공학회논문지

1990 .03