저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

델타도핑 AlGaAs / InGaAs HEMT 구조의 MOCVD 성장 ( MOCVD Growth of Delta-Doped AlGaAs / InGaAs HEMT Structures )

양계모 ,  박상규 ,  황석원 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AIGaAs / InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성 ( Fabrication and Characterization of Si Delta Doped AlGaAs / InGaAs Double Channel P-HEMTs Grown by LP-MOCVD for Power Application )

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

저압 MOCVD법을 이용한 Si델타도핑된 AlGaAs / InGaSa구조의 저잡음 P-HEMTs의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of Si-Delta-Doped AlGaSa / InGaSa Low Noise P-HEMTs Grown by LP-MOCVD )

전영진 ,  정영한 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

MOCVD법을 이용한 AlGaAs / GaAs HEMT의 제작 ( Fabrication of AlGaAs / GaAs HEMT From MOCVD Water )

엄경숙 ,  김용 ,  김무성 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

PCS용 전력 AlGaAs/InGaAs 이중 채널 P-HEMTs의 제작과 특성

이진혁 ,  김우석 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

역 이중채널 구조를 이용한 전력용 AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT의 특성

안광호 ,  정영한 ,  배병숙 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .11

0.25㎛ T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계

김진명 ,  전영진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

MOCVD에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 ( Growth of GaAs/AlGaAs Superlattice and HEMT Structures by MOCVD )

김무성 ,  김용 ,  엄경숙 외 2명

전자공학회논문지

1990 .02

mm파 AlGaAs / InGaAs / GaAs Power PM-HEMT 제작 연구 ( Fabrication of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMT's for mm waves )

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

Fabrication and Characterization of 0.2um T-shaped gate AlGaAs / InGaAs P-HEMTs

배창민 ,  서은성 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

0.4㎛ 게이트 길이의 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 제작 ( Fabrication of 0.4㎛ Gate Length AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's )

백승원 ,  김병성 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

0.25㎛ T형 게이트 AIGaAs / InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계 ( The Fabrication of 0.25mm T-shaped Gate AlGaAs / InGaAs P-HEMT and It`s Application to the Input-Matched 3 Stage X-Band LNA Design )

김진명 ,  전연진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

MOCVD 법으로 성장한 HEMT 구조에 형성된 2차원 전자층의 특성평가 ( Characterization of 2-Dimensional Electron Gas Formed in HEMT Structure Grown by MOCVD )

김용 ,  엄경숙 ,  김무성 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

MBE로 성장된 HEMT에서 Si : AlGaAs층의 주된 깊은 준위 측정 ( Characterization of Dominant Deep Levels in the Si-Doped AlGaAs Layer of MBE Grown HEMT`S )

배동건 ,  정상구

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

개선된 T - gate 기술로 제작한 초저잡음 AlGaAs / InGaAs / GaAs pseudomorphic HEMT 소자의 특성 ( A Super Low Noise Characteristics of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs Fabricated by the Improved T - Gate )

이진희 ,  윤형섭 ,  최상수 외 2명

전자공학회논문지-A

1995 .03

저압 MOCVD법을 이용한 AlGaAs / GaAs 양자우물구조 ( AlGaAs / GaAs Quantum Well Structures Grown by Low-pressure MOCVD )

정동호 ,  정윤하 ,  김광일 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

Design of AlGaAs / InGaAs P-HEMT Modulator Driver IC for 10Gbps Optical Communication System

주원재 ,  양성기 ,  백승원 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

저압 MOCVD법을 이용한 AlGaAs/GaAs 양자 우물 구조의 성장 및 특성

鄭東皓 ,  丁潤夏 ,  金光一 외 1명

전기학회논문지

1990 .06

mm파 AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PM-HEMT 제작 연구

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11