SOI RESURF 다이오드의 항복전압 ( Avalanche Breakdown Voltage of the SOI RESURF Diodes )

문태훈 ,  신진철 ,  최연익 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

고내압 SOI RESURF 다이오드의 최적 설계에 관한 연구

이상용 ,  김종대 ,  박문양 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

SIPOS를 이용한 SOI RESURF 다이오드의 항복전압 특성

신동구 ,  한승엽 ,  최연익 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .07

RESURF type의 SOI n-LDMOSFET 소자 설계 및 제작

김재석 ,  김범주 ,  구진근 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2004 .06

SOI RESURF LDMOS의 표면전계에 대한 해석적 표현

韓承燁 ,  鄭鎭榮 ,  崔然益 외 1명

전기학회논문지

1996 .12

경사진 드레인 산화막을 갖는 SOI RESURF LDMOS에 관한 연구

박일용 ,  김성룡 ,  최연익 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .07

표면 도핑 두께에 따른 SOI RESURF LDMOSFET의 전기적 특성분석

김형우 ,  김상철 ,  서길수 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .07

Epi층의 농도 및 두께 변화에 따른 Multi-RESURF SOI LDMOSFET의 특성분석

김형우 ,  김상철 ,  서길수 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .07

RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )

김성룡 ,  한승엽 ,  최연익 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .07

RESURF PB 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 대한 해석적인 표현

신진철 ,  라경만 ,  최연익 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

RESURF PN 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 대한 해석적인 표현 ( Analytical Expression for the Breakdown Voltage and Optimum Lateral Dimension of the RESURF PN Diodes )

신진철 ,  라경만 ,  최연익 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

에피층 농도 변화에 따른 Multi-RESURF SOI LDMOSFET의전기적 특성 분석

김형우 ,  김남균 ,  서길수 외 2명

전기전자재료학회논문지

2006 .01

RESURF 수평형 IGBT의 항복전압

김민석 ,  김종오 ,  김범만

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

RESURF 수평형 IGBT의 항복전압 ( The Breakdown Voltage of RESURF Lateral IGBT )

김민석 ,  김종오 ,  김범만

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

RESURF LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰 ( A Theoretical Study on the Breakdown Voltage of the RESURF LDMOS )

한승엽 ,  정상구

전자공학회논문지-D

1998 .08

새로운 구조의 고속-고내압 SOI Smart Power 소자 설계에 관한 연구

원명규 ,  구용서 ,  안철

대한전자공학회 학술대회

1999 .06

표면 도핑 기법을 사용한 SOI RESURF LDMOSFET의 항복전압 및온-저항 특성분석

김형우 ,  김상철 ,  김남균 외 3명

전기전자재료학회논문지

2006 .01

0.35㎛ BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현

문남칠 ,  전본근 ,  권경욱 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

SOI 기술의 연구동향

이종현

전자공학회지

1987 .08

Multi RESURF구조를 갖는 LDMOS의 on 저항과 항복전압

최이권 ,  최연익 ,  정상구

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .11