RESURF type의 SOI n-LDMOSFET 소자 설계 및 제작

김재석 ,  김범주 ,  구진근 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2004 .06

Epi층의 농도 및 두께 변화에 따른 Multi-RESURF SOI LDMOSFET의 특성분석

김형우 ,  김상철 ,  서길수 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .07

표면 도핑 기법을 사용한 SOI RESURF LDMOSFET의 항복전압 및온-저항 특성분석

김형우 ,  김상철 ,  김남균 외 3명

전기전자재료학회논문지

2006 .01

Quasi-SOI LDMOSFET의 전기적 특성

정두연 ,  이종호

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

에피층 농도 변화에 따른 Multi-RESURF SOI LDMOSFET의전기적 특성 분석

김형우 ,  김남균 ,  서길수 외 2명

전기전자재료학회논문지

2006 .01

Intelligent Power ASICs을 위한 RESURF LDMOSFETs의 최적 설계

권오경

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

고내압 SOI RESURF 다이오드의 최적 설계에 관한 연구 ( A Study on The Optimal Design of High Voltage SOI RESURF Diode )

김종대 ,  박문양 ,  강진영 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

SOI RESURF 다이오드의 항복전압 ( Avalanche Breakdown Voltage of the SOI RESURF Diodes )

문태훈 ,  신진철 ,  최연익 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

새로운 구조의 LDMOSFET 소자 설계 및 전기적 특성 연구

박미정 ,  이조운 ,  이재현 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2006 .11

SOI RESURF LDMOS의 표면전계에 대한 해석적 표현

韓承燁 ,  鄭鎭榮 ,  崔然益 외 1명

전기학회논문지

1996 .12

400V급 LDMOSFET 전력소자의 설계에 관한 연구

조희엽 ,  박재형 ,  김범주 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2002 .11

고내압 LDMOSFET의 저온 특성에 관한 연구

박재형 ,  이호영 ,  구용서 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2001 .06

경사진 드레인 산화막을 갖는 SOI RESURF LDMOS에 관한 연구

박일용 ,  김성룡 ,  최연익 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .07

SOI-LDMOS의 드리프트 길이 변화에 따른 전기적 특성의 고온영역 신뢰성 분석

김재석 ,  구용서 ,  구진근 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

SIPOS를 이용한 SOI RESURF 다이오드의 항복전압 특성

신동구 ,  한승엽 ,  최연익 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .07

RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )

김성룡 ,  한승엽 ,  최연익 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .07

고온영역에서 게이트 확장 길이 변화에 따른 고내압 LDMOSFET의 전기적 특성연구

김범주 ,  구용서 ,  노태문 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2002 .06

고온 동작 환경에서 드리프트 영역 길이 변화에 따른 100V급 LDMOSFET의 전기적 특성에 관한 연구

최철 ,  김도형 ,  구용서 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

A New 800-V LDMOSFET with High SOA Performance

진준희 ,  권오경

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

A New Structure of SOI LDMOSFET Structure with a Trench in the Drift Region for a PDP Scan Driver IC

Won-So Son ,  Sang-Gi Kim ,  Young-Ho Sohn 외 1명

[ETRI] ETRI Journal

2004 .02