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이용수
Abstract
1. 서론
2. 소자의 구조 및 시뮬레이션 결과
3. 결론
[참고문헌]
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1993 .11
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한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2012 .10
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1996 .12
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1994 .07
RESURF 수평형 IGBT의 항복전압 ( The Breakdown Voltage of RESURF Lateral IGBT )
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1994 .07
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1996 .07
표면 도핑 두께에 따른 SOI RESURF LDMOSFET의 전기적 특성분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .07
에피층 농도 변화에 따른 Multi-RESURF SOI LDMOSFET의전기적 특성 분석
전기전자재료학회논문지
2006 .01
RESURF LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰 ( A Theoretical Study on the Breakdown Voltage of the RESURF LDMOS )
전자공학회논문지-D
1998 .08
RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )
대한전자공학회 학술대회
1996 .07
고내압 SOI RESURF 다이오드의 최적 설계에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
SOI 웨이퍼의 시드 홀을 이용한 다이오드의 항복 전압과 온 저항 특성
전기학회논문지
1995 .08
표면 도핑 기법을 사용한 SOI RESURF LDMOSFET의 항복전압 및온-저항 특성분석
전기전자재료학회논문지
2006 .01
Multi RESURF구조를 갖는 LDMOS의 on 저항과 항복전압
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
고입력전압 SMPS용 SIPO 인터리브드 2스위치 포워드 컨버터
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