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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제1호
발행연도
2006.1
수록면
23 - 28 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2006

에피층 농도 변화에 따른 Multi-RESURF SOI LDMOSFET의전기적 특성 분석
김형우 ,  김남균 ,  서길수 외 2명 전기전자재료학회논문지 2006.01 학술저널
표면 도핑 기법을 사용한 SOI RESURF LDMOSFET의 항복전압 및온-저항 특성분석
김형우 ,  김상철 ,  김남균 외 3명 전기전자재료학회논문지 2006.01 학술저널

2005

표면 도핑 두께에 따른 SOI RESURF LDMOSFET의 전기적 특성분석
김형우 ,  김상철 ,  서길수 외 3명 대한전기학회 학술대회 논문집 2005.07 학술대회자료

2002

Epi층의 농도 및 두께 변화에 따른 Multi-RESURF SOI LDMOSFET의 특성분석
김형우 ,  김상철 ,  서길수 외 2명 대한전기학회 학술대회 논문집 2002.07 학술대회자료

초록· 키워드

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In this paper, breakdown voltage and on-resistance characteristics of the surface doped SOI RESURF LDMOSFET were investigated as a function of surface doping depth. In order to verify the variation of characteristics, two-dimensional device simulation was carried out. Breakdown voltage of the proposed structure is varied from 73 ～ 138 V while surface doping depth varied from 0.5 ～ 2.0 ㎛. And on-resistance is decreased from 0.18 ～ 0.143 Ω/㎠ while surface doping depth increased from 0.5 ～ 2.0 ㎛. Maximum breakdown voltage of the proposed structure is 138 V at 1.5 ㎛ depth of surface doping, yielding 22.1 % of improvement of breakdown voltage in comparison with that of the conventional SOI RESURF LDMOSFET with same epi-layer concentration. On-resistance characteristic is also improved about 21.7 %.
#LDMOSFET #Breakdown voltage #On-resistance #Surface-doped

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/ 1995. / Smart Power ICs google schola / 1998. / A 33 V, 0.25 mΩ-mm2, n-channel LDMOS in a 0.65 ㎛ smart power technology for 20-30 V application : 61 ~ google schola / 1999. / Predicted Electrical Charac- teristics of 4500 V Super Multi-resurf MOSFET : 95 ~ google schola / 2000. / Linearly-graded surface doped SOI LDMOSFET with recessed source 21 : 547 ~ google schola / 2000. / 레치업 특성의 개선과 고속 스위칭 특성을 위한 다중 게이트 구조의 새로운 LIGBT 13 (5) : 371 ~ google schola

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