p+ 다결정 실리콘 게이트를 갖는 p채널 MOSFET의 hot carrier 효과 ( Hot carrier effects of PMOSFET with p+ polysilicon gate )

홍성희 ,  정성익 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

BF2 이온 주입된 P 다결정실리콘 게이트 PMOSFET의 Hot-Carrier 효과 ( Hot-Carrier Effect of BF2 Implanted p Polysilicon Gate PMOSFET )

김정태 ,  유동열 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

P+ Polysilicon Gated PMOSFET에서의 Boron침투현상에 대한 모델링 및 최적화 ( Modeling and optimization for boron penetration on p+ polysilicon gated PMOSFET )

박종찬 ,  남명희 ,  김현철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

P⁺Polysilicon Gated PMOSFET에서의 Boron 침투현상에 대한 모델링 및 최적화

박종찬 ,  남명희 ,  김현철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .09

Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( I ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( I ) )

정우표 ,  류동렬 ,  양광선 외 2명

전자공학회논문지-A

1993 .08

Indium Doped Buried Channel pMOSFETs with n Polysilicon Gate

이영택 ,  이종덕 ,  박병국

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

양 방향 Hot Carrier 스트레스에 의한 PMOSFET 노쇠화 ( PMOSFET Degradation due to Bidirectional Hot Carrier Stress )

김용탁 ,  김덕기 ,  유종근 외 3명

전자공학회논문지-A

1995 .06

AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상

홍성택 ,  유종근 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

AC 스트레스에서 Hot Carrier로 인한 PMOSFET의 노쇠화 현상 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of PMOSFET Under AC Stress )

홍성택 ,  유종근 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1994 .07

직류 및 교류스트레스 조건에서 발생된 Hot-Carrier가 PMOSFET의 누설전류에 미치는 영향 ( Hot-Carrier Induced GIDL Characteristics of PMOSFETs under DC and Dynamic Stress )

류동렬 ,  이상돈 ,  박종태 외 1명

전자공학회논문지-A

1993 .12

Hot-Carrier 스트레스에 의하여 발생된 계면상태가 PMOSFET의 밴드간 터널링 전류에 미치는 영향 ( The Effect of Interface State ( Nit ) Generated by Hot-Carrier Stress on GIDL Current of PMOSFET )

김호 ,  유동열 ,  이상돈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

δ 도핑된 Si_0.8Ge_0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사

오순영 ,  남령진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

P+ 다결정 실리콘을 사용한 SC-PMOSFET의 특성 ( The Characterization of SC-PMOSFET with P+ Polysilicon Gates )

정성익 ,  박종태

전자공학회논문지

1990 .02

PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰

나준희 ,  최시윤 ,  김용구 외 1명

전자공학회논문지-SD

2004 .07

게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )

정우표 ,  유동열 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

Deep Submicrometer PMOSFET의 Hot Carrier 현상과 소자 노쇠화 ( Hot Carrier Effects and Device Degradation in Deep Submicrometer PMOSFET )

장성준 ,  김용탁 ,  유종근 외 3명

전자공학회논문지-A

1996 .04

Hot Carrier Effects in the Deep Submicrometer SC-PMOSFET

장성준 ,  김형기 ,  김용택 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

유효채널 길이가 0.3㎛인 P+Poly Si Gate PMOSFET의 전기적 특성 ( A Study on Deep Submicron P+Poly Si Gate PMOSFET )

김호기 ,  김봉열 ,  이규홍 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

내장된 전송 게이트를 가지는 PMOSFET형 광검출기를 사용한 픽셀의 동작 범위 향상

이수연 ,  서상호 ,  서민웅 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07