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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
허창우 (목원대학교)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제14권 제4호
발행연도
2010.4
수록면
935 - 938 (4page)

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현재까지 개발된 투명전극재료 중에는 ITO가 가장 투명하면서 전기도 잘 통하고 생산성도 좋다. 투명전극은 비저항이 1×10?³Ω/㎝이하, 면저항이 10³Ω/sq이하로 전기전도성이 우수하고 380에서 780㎚의 가시광선 영역에서의 투과율이 80%이상이라는 두 가지 성질을 만족시키는 박막이다. 본 연구에서는 스퍼터링 진공 증착 장치를 이용하여 투명 도전막(ITO: Indium Tin Oxide)을 제작하고 제작된 ITO 박막의 광 및 전기 그리고 물성적 특성을 조사하여 최상의 공정 조건을 확립하였다.
본 실험에서는 In₂O₃:SnO₂의 조성비는 90:10wt% 인 타겟의 특성이 우수하였고, Ar:O₂의 분압비는 100:1 및 42:8 의 조건이 적당하였으며, 온도는 200℃ 가장 우수한 특성을 얻을 수 있었다.
본 연구에서 제작한 박막은 광 투과도가 90% 이상, 비저항이 300 μΩ㎝ 이하의 특성을 갖게 되어 이미지센서, 태양전지, 액정 텔레비젼등 빛의 통과와 전도성 등 두 가지 특성에 동시에 만족 될 만한 성능을 가질 수 있음을 확인하였다.

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 박막제조
Ⅲ. 박막특성 및 결론
참고문헌

참고문헌 (6)

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