박막트랜지스터의 습식 및 건식 식각 공정

박춘식; 허창우

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박춘식 (신방일렉트로닉스) 허창우 (목원대학교)

저널정보: 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제13권 제7호

발행연도: 2009.7

수록면: 1,393 - 1,398 (6page)

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본 연구는 LCD용 비정질 실리콘박막트랜지스터의 제조공정중 가장 중요한 식각 공정에서 각 박막의 특성에 맞는 습식 및 건식식각공정을 개발하여 소자의 특성을 안정시키고자 한다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층, 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 n+a-Si:H 층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝하여 그것을 마스크로 상부 n+a-Si:H 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거 한다. 그 위 에 Cr층을 증착한 후 패터닝 하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 여기서 각 박막의 패터닝은 식각 공정으로 각단위 박막의 특성에 맞는 건식 및 습식식각 공정이 필요하다. 제조한 박막 트랜지스터에서 가장 흔히 발생되는 문제는 주로 식각 공정시 over 및 under etching 이며, 정확한 식각을 위하여 각 박막에 맞는 식각공정을 개발하여 소자의 최적 특성을 제공하고자한다. 이와 같이 공정에 보다 엄격한 기준의 건식 및 습식식각 공정 그리고 세척 등의 처리공정을 정밀하게 실시하여 소자의 특성을 확실히 개선 할 수 있었다.

#비정질 실리콘 박막 트랜지스터 #식각 공정 #Inverted Staggered 형 #over 및 under etching #엄격한기준의 공정

참고문헌 (9)

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1. [기타자료] - Chang W. Hur / 1994 / Method of Making Thin Film Transistors / United States Patent, Patent No.5,306,653

2. [학술지(정기간행물)] - M.J. Powell / 1992 / Amorphous silicon image sensor array / Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 258 : 1127 ~ 1137

3. [학술지(정기간행물)] - S. Polach / 1999 / Matrix of light sensors addressed by a-Si:H TFTs on a flexible plastic substrate / SPIE (3649) : 31 ~ 39

4. [학술대회논문] - A. Nathan / 1999 / Correlation between leakage current and overlap capacitance in a-Si:H TFTs / IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Advanced Image Sensor

5. [학술지(정기간행물)] - 이규정 / 2002 / 산화물 반도체 박막 가스센서 어레이의 제조 및 수율 개선 / 한국해양정보통신학회논문지 6 (2) : 315 ~ 322

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