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RESURF LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰 ( A Theoretical Study on the Breakdown Voltage of the RESURF LDMOS )
전자공학회논문지-D
1998 .08
RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )
대한전자공학회 학술대회
1996 .07
Multi RESURF구조를 갖는 LDMOS의 on 저항과 항복전압
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
SOI RESURF LDMOS의 표면전계에 대한 해석적 표현
전기학회논문지
1996 .12
경사진 드레인 산화막을 갖는 SOI RESURF LDMOS에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
RESURF LDMOS와 VDMOS의 ON 저항 비교연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
0.35㎛ BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
0.35um BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
High side application을 위한 700V double-RESURF nch-LDMOS 소자 개발
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
Low side application을 위한 700V double-RESURF nch-LDMOS와 nch-JFET 소자 개발
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
Nonlinear Analysis for LDMOS Using Level 3 Extraction Method
한국통신학회 학술대회논문집
2001 .07
RESURF 수평형 IGBT의 항복전압 ( The Breakdown Voltage of RESURF Lateral IGBT )
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
RESURF 수평형 IGBT의 항복전압
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
근거리 무선통신용 RF LDMOS 소자의 전기전 특성
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
고내압 SOI RESURF 다이오드의 최적 설계에 관한 연구 ( A Study on The Optimal Design of High Voltage SOI RESURF Diode )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
Low Specific On-resistance SOI LDMOS Device with P+P-top Layer in the Drift Region
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2014 .10
RESURF PB 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 대한 해석적인 표현
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
SOI RESURF 다이오드의 항복전압 ( Avalanche Breakdown Voltage of the SOI RESURF Diodes )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
융기된 내부링을 갖는 새로운 SOI LDMOS
전기학회논문지
1998 .08
1800 MHz 대역 50 W 급 LDMOS 고효율 전류모드 D 급 전력 증폭기의 설계
한국통신학회 학술대회논문집
2004 .07
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