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저자정보
문남칠 (동부하이텍) 전본근 (동부하이텍) 권경욱 (동부하이텍) 이창준 (동부하이텍) 박주원 (동부하이텍) 성근식 (동부하이텍) 김희대 (동부하이텍) 김남주 (동부하이텍) 유광동 (동부하이텍)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2012년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2012.6
수록면
36 - 39 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2012

Low side application을 위한 700V double-RESURF nch-LDMOS와 nch-JFET 소자 개발
문남칠 ,  전본근 ,  권경욱 외 6명 대한전자공학회 학술대회 2012.06 학술대회자료
High side application을 위한 700V double-RESURF nch-LDMOS 소자 개발
문남칠 ,  전본근 ,  권경욱 외 6명 대한전자공학회 학술대회 2012.06 학술대회자료

초록· 키워드

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In this paper, two kinds of robust 700V DR-LDMOS (Double RESURF LDMOS) using thin epitaxial technology has been realized for level shifter and switching applications. The P-TOP layer is introduced to reduce on-resistance while maintaining high breakdown voltage for switching applications, and to increase on-breakdown voltage using JFET resistance for level shifter. The result is that the breakdown voltage of the 700V LDMOS for level shifter is 900V with on-breakdown of over 650V. In terms of switching applications, we have adopted HVPWELL layer of rainbow shape at source corner region to reduce n-type charge of N-EPI region and achieved the breakdown voltage of over 750V.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE DESIGN AND FABRICATION
Ⅲ. EXPERIMENTAL RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
참고문헌

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