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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.9 No.3
- 발행연도
- 2009.9
- 수록면
- 166 - 173 (8page)
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The reliability of hafnium oxide gate dielectrics incorporating lanthanum (La) is investigated. nMOSFETs with metal/La-doped high-k dielectric stack show lower V<SUB>th</SUB> and I<SUB>gate</SUB>, which is attributed to the dipole formation at the high-k/SiO₂ interface. The reliability results well correlate with the dipole model. Due to lower trapping efficiency, the La-doping of the high-k gate stacks can provide better PBTI immunity, as well as lower charge trapping compared to the control HfSiO stacks. While the devices with La show better immunity to positive bias temperature instability (PBTI) under normal operating conditions, the threshold voltage shift (ΔV<SUB>th</SUB>) at high field PBTI is significant. The results of a transconductance shift (ΔG<SUB>m</SUB>) that traps are easily generated during high field stress because the La weakens atomic bonding in the interface layer.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTAL
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
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