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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.2
- 수록면
- 458 - 458 (1page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (5)
2010
Role of gas flow rate during etching of hard-mask layer to extreme ultra-violet resist in dual-frequency capacitively coupled plasmas
권봉수
,
이정훈
,
이내응
한국진공학회 학술발표회초록집
2010.08
학술대회자료
Role of N₂ flow rate on etch characteristics and variation of line edge roughness during etching of silicon nitride with extreme ultra-violet resist pattern in dual-frequency CH₂F₂/N₂/Ar capacitively coupled plasmas
권봉수
,
정창룡
,
이내응
외 1명
한국진공학회 학술발표회초록집
2010.02
학술대회자료
2009
Process window for infinitely high etch selectivity of TEOS oxide to PVD a-C in dual-frequency capacitively coupled C₄F₈/CH₂F₂/O₂/Ar plasmas
권봉수
,
김진성
,
안정호
외 6명
한국진공학회 학술발표회초록집
2009.08
학술대회자료
Etching characteristics of ArF and EUV resists in dual-frequency superimposed capacitively coupled CF₄/O₂/Ar and CF₄/CHF₃/O₂/Ar plasmas
권봉수
,
김진성
,
박영록
외 7명
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2009.05
학술대회자료
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한국진공학회 학술발표회초록집
2010 .08
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Role of CH2F2 and N-2 Flow Rates on the Etch Characteristics of Dielectric Hard-mask Layer to Extreme Ultra-violet Resist Pattern in CH2F2/N2/Ar Capacitively Coupled Plasmas
한국진공학회 학술발표회초록집
2011 .02
-
Highly selective etching of silicon nitride to CVD a-C in dual-frequency capacitively coupled CH₂F₂/H₂plasmas
한국진공학회 학술발표회초록집
2009 .08
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Effects of CH₂F₂ and H₂ flow rates on process window for infinite etch selectivity of silicon nitride to PVD a-C in dual-frequency capacitively coupled plasmas
한국진공학회 학술발표회초록집
2009 .02
-
Mechanism of infinite Si₃N₄/ArF PR etch selectivity during CH₂F₂/H₂/Ar dual frequency capacitively coupled plasma etching of Si3N4 layers
한국진공학회 학술발표회초록집
2006 .08
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Etching Characteristics of Au Film using Capacitively Coupled CF4/Ar Plasma
동굴
2007 .01
-
Characteristics of SiO₂ Etching in a C4F8/Ar/O₂ pulse modulation capacitively coupled plasma
한국진공학회 학술발표회초록집
2018 .02
-
Process window for infinitely high etch selectivity of TEOS oxide to PVD a-C in dual-frequency capacitively coupled C₄F₈/CH₂F₂/O₂/Ar plasmas
한국진공학회 학술발표회초록집
2009 .08
-
Frequency effect of TEOS oxide layer in dual-frequency capacitively coupled CH2F2/C4F8/O2/Ar plasma
한국진공학회 학술발표회초록집
2011 .02
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Etching characteristics of ArF and EUV resists in dual-frequency superimposed capacitively coupled CF₄/O₂/Ar and CF₄/CHF₃/O₂/Ar plasmas
한국진공학회 학술발표회초록집
2008 .08
-
Microtrenching of SiO₂ contact hole etching in C₄F8/Ar capacitively coupled plasma
한국진공학회 학술발표회초록집
2017 .08
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Etching properties of titanium nitride thin films in a O₂/Cl₂/Ar plasma
한국진공학회 학술발표회초록집
2016 .08
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Etching characteristics of DLC-hard mask using dual frequency superimposed capacitively coupled plasmas (DFS-CCP)
한국진공학회 학술발표회초록집
2007 .02
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Etch Characteristics of IrMn Thin Films Using an Inductively Coupled Plasma of CH₃OH/Ar
한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집
2010 .12
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Effects of Etch Parameters on Etching of CoFeB Thin Films in CH₄/O₂/Ar Mix
한국진공학회 학술발표회초록집
2012 .02
-
Effect of high - frequency variation on ArF PR deformation and silicon nitride etching by dual frequency superimposed (DFS rf capacitive coupled plasma
한국진공학회 학술발표회초록집
2004 .08
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Plasma etching of gallium nitride at high temperature
한국진공학회 학술발표회초록집
2016 .08
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Investigation on Etch Characteristics of FePt Magnetic Thin Films Using a CH4/Ar Plasma
한국진공학회 학술발표회초록집
2011 .02
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Etch Characteristics of MgO Thin Films in Cl2/Ar, CH3OH/Ar, and CH4/Ar Plasmas
한국진공학회 학술발표회초록집
2013 .02
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C₃F6O 가스를 이용한 SiO₂에 대한 식각 특성 분석
한국진공학회 학술발표회초록집
2017 .08
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