Heat treatment effect of high-k HfO2 for tunnel barrier memory application

황영현 ,  유희욱 ,  김민수 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .02

Improved memory characteristics using high-k materials for charge trap layer and engineered tunnel barrier

김민수 ,  김관수 ,  유희욱 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Electrical characteristics of SiC thin film charge trap memory with barrier engineered tunnel layer

Dong Seok Han ,  Dong Uk Lee ,  Hyo Jun Lee 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .08

Improved Erasing Characteristics of Tunnel Barrier Engineered Charge Trap Flash Memory with HfO₂ Charge Trap Layer

김관수 ,  정명호 ,  박군호 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Thermal Treatment Effects of Staggered Tunnel Barrier(Si3N4/Ta2O5) for Non Volatile Memory Applications

이동현 ,  조원주

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2012 .02

Staggered Tunnel Barrier engineered Memory

손정우 ,  박군호 ,  조원주

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .02

Effect of low temperature microwave irradiation on tunnel layer of charge trap flash memory cell

홍은기 ,  김소연 ,  조원주

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .02

Investigation of stacked tunnel barrier with high-k materials for application to non-volatile memory devices

김민수 ,  김관수 ,  유희욱 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Programming/Erasing Characteristics of HfO2 Charge Trap Flash Memory with SiO₂/ZrO₂ as Engineered Tunnel Barrier

유희욱 ,  김관수 ,  정명호 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .02

Heat Treatment Effects of Staggered Tunnel Barrier (Si3N4 / HfAlO) for Non-volatile Memory Application

조원주 ,  이세원

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .08

범밀도함수론을 이용한 정방정계-HfO₂/Si의 계면 층 구조 연구

김대희 ,  서화일 ,  김영철

Applied Science and Convergence Technology

2009 .01

Charge trapping characteristics of the zinc oxide (ZnO) layer for metal-oxide semiconductor capacitor structure with room temperature

표주영 ,  조원주

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .02

Properties of HfSi_xO_y/HfO₂ film as a various Annealing Temperature

송유주 ,  박재경 ,  노용한

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2008 .08

Electric Characteristics of HfO₂ deposited by Atomic Layer Deposition

김수현 ,  박재경 ,  노용한

한국진공학회 학술발표회초록집

2008 .08

Effect of triple stacked bandgap-engineered tunneling barrier with silicon-richsilicon- nitride layer as charge storage node in non-volatile memory applications

Taekyung Yim ,  Eunkyeom Kim ,  Seungman An 외 5명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .08

Characteristics of low-temperature at 80°C HfO2 deposited by ALD (Atomic Layer Deposition) and electrical properties of NMOS capacitor

Kyoung-Mun Kim ,  Soon-Gil Yoon ,  Nak-Kwan Chung

한국진공학회 학술발표회초록집

2019 .08

H₂O₂ effects of HfO₂ dielectric layers

Young hwan Hyeon ,  Byoung deog Choi

한국진공학회 학술발표회초록집

2017 .02

Effect of HfO₂ Thin Film for Blocking Layer of Dye-Sensitized Solar Cell

조대희 ,  이경주 ,  송상우 외 4명

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2014 .02

Effects of N₂ Anneal on Electrical Properties of HfO₂ Film on Si Substrate

Soonkon Kim ,  Byoungdeog Choi

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2018 .02

Influence of O₂ Annealing on Electrical Characteristics of Atomic Layer Deposited HfO₂ thin Films on Si Substrate

Soonkon Kim ,  Byoungdeog Choi

한국진공학회 학술발표회초록집

2018 .08