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윤한기 (동의대학교) 문승현 (동의대학교) 김태규 (부산대학교) 무라카미 리이치 (도쿠시마대학교)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2010년도 추계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2010.11
수록면
369 - 372 (4page)

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Silicon carbide thin film was coated onto 3 types of materials by RF sputtering system. The substrates were graphite, si and sapphire. Surface roughness of substrate was polished by wet polishing. Coating conditions were 200 W of RF power and 3 mTorr pressure of argon gas. Deposition time was 3 hours in 600℃ temperature. Specimens were heat treated in 1200℃ vacuum chamber. XRD was used for detecting the coated SiC thin film by thin film mode. FE-SEM was used to characterize the microstructure of SiC coating film.
#SiC Coated Thin Film(SiC 박막 코팅) #RF Sputtering(RF 스퍼터링) #XRD Effect(XRD 영향) #Microstructure(미세구조)

목차

Abstract
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and Discussion
4. Conclusions
Acknowledgements
References

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