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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.7
- 수록면
- 1 - 7 (7page)
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본 논문에서는 16레벨셀 낸드 플래시 메모리 채널에 최대 유사도 검출 방법을 이용하여 데이터를 검출하기 위해 트렐리스의 정답 값을 추정하는 기법에 대해 연구 하였다. 이 기법은 최대유사도 검출기를 사용할 수 있게 되어 성능향상에 도움을 준다. 플래시 메모리는 커플링 효과 때문에 메모리가 있는 채널 모델링이므로, 이미 알고 있는 데이터 열을 훈련 과정을 통해 트렐리스의 정답 값을 추정하여, 이 값을 토대로 최대 유사도 검출한다. 본 실험을 통해 문턱 전압을 이용한 데이터 검출 방법보다 제안한 기법을 이용한 최대 유사도 검출기의 성능이 좋은 것을 보였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 멀티레벨셀 낸드 플래시 메모리 채널
Ⅲ. 시뮬레이션
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
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1. [학술지(정기간행물)] - T. Tanzawa / 1997 / compact on-chip ECC for low cost Flash Memories / IEEE Journal of Solid-State Circuits 32 (5) : 662 ~ 669
2. [학술지(정기간행물)] - B. Polianskikh / 2001 / Induced error-correcting code for 2bit-per-cell multi-level DRAM / Proceeding of the 44th IEEE 2001 Midwest Symposium on Circuits and Systems 2 : 352 ~ 355
3. [학술대회논문] - H Chang / 2004 / Multi-level memory systems using error control codes / IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) : II-393 ~ II-396
4. [학술대회논문] - B. Chen / 2008 / Error correction for multi-level NAND flash memory using Reed-Solomon codes / IEEE Workshop on Signal Processing Systems : 94 ~ 99
5. [학술대회논문] - S. Fe / 2006 / Multilevel flash memory on-chip error correction based on trellis coded modulation / IEEE International Symposium Circuits and Systems (ISCAS) : 1443 ~ 1446
2. [학술지(정기간행물)] - B. Polianskikh / 2001 / Induced error-correcting code for 2bit-per-cell multi-level DRAM / Proceeding of the 44th IEEE 2001 Midwest Symposium on Circuits and Systems 2 : 352 ~ 355
3. [학술대회논문] - H Chang / 2004 / Multi-level memory systems using error control codes / IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) : II-393 ~ II-396
4. [학술대회논문] - B. Chen / 2008 / Error correction for multi-level NAND flash memory using Reed-Solomon codes / IEEE Workshop on Signal Processing Systems : 94 ~ 99
5. [학술대회논문] - S. Fe / 2006 / Multilevel flash memory on-chip error correction based on trellis coded modulation / IEEE International Symposium Circuits and Systems (ISCAS) : 1443 ~ 1446
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