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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.11
- 수록면
- 32 - 36 (5page)
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Aluminum(Al) nano-pattern with a 200 ㎚ period and a 150 ㎚ height was achieved using nanoimprint lithography(NIL) and reactive ion etching (RIE). Pattern formation of etch mask for Al film etching was performed by nanoimprint lithography. We used a SiO₂ mold with a size of 5 × 5 ㎠ which was fabricated using the laser interference lithography and RIE. We optimized imprint process for Al/glass substrate and tested imprint resists for the Al etching. Among the tested imprint resists, mr-I 8020 resist shows a good etch selectivity of 2 against Al. Nanoimprint lithography combined with RIE is proved to be useful for the fabrication of Al nano-pattern.
목차
Abstract
1. 서론
2. 알루미늄 나노 패턴 제작
3. 결론
후기
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