고온 동작 환경에서 드리프트 영역 길이 변화에 따른 100V급 LDMOSFET의 전기적 특성에 관한 연구

최철 ,  김도형 ,  구용서 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

Quasi-SOI LDMOSFET의 전기적 특성

정두연 ,  이종호

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

융기된 내부링을 갖는 새로운 SOI LDMOS

金成龍 ,  黃圭漢 ,  崔然益

전기학회논문지

1998 .08

경사진 Field Plate을 갖는 SOI LDMOS에 관한 연구

나종민 ,  최연익

대한전기학회 학술대회 논문집

1995 .11

트렌치 드레인과 경사진 게이트를 갖는 SOI LDMOS

김선호 ,  최연익

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .07

SOI 기술의 연구동향

이종현

전자공학회지

1987 .08

ON 저항이 작은 Recessed Source 구조 SOI LDMOS의 수치해석

梁會允 ,  金成龍 ,  崔然益

전기학회논문지 C

1999 .09

경사진 게이트를 갖는 Recessed Source SOI LDMOS

김정희 ,  최연익 ,  정상구

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .07

박막 SOI의 결정질 및 전기적 특성

정귀상

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

박막 SOI의 결정질 및 전기적 특성 ( Crystalline and Electrical Properties of a Thin-Film SOI )

정귀상

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

A New Structure of SOI LDMOSFET Structure with a Trench in the Drift Region for a PDP Scan Driver IC

Won-So Son ,  Sang-Gi Kim ,  Young-Ho Sohn 외 1명

[ETRI] ETRI Journal

2004 .02

표면 도핑 두께에 따른 SOI RESURF LDMOSFET의 전기적 특성분석

김형우 ,  김상철 ,  서길수 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .07

RESURF type의 SOI n-LDMOSFET 소자 설계 및 제작

김재석 ,  김범주 ,  구진근 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2004 .06

Epi층의 농도 및 두께 변화에 따른 Multi-RESURF SOI LDMOSFET의 특성분석

김형우 ,  김상철 ,  서길수 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .07

수소 플라즈마를 이용한 SOI 기판 제작 및 SOI 전력용 반도체 소자 제작에 관한 연구

성만영

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .11

Gate length에 따른 LDMOS 전력 소자의 고온동작 특성연구

박재형 ,  구용서 ,  구진근 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2002 .06

Characteristics of p-channel SOI LDMOS Transistor with Tapered Field Oxides

Jongdae Kim ,  Sang-Gi Kim ,  Tae Moon Roh 외 4명

[ETRI] ETRI Journal

1999 .06

APPLICATIONS OF SOI DEVICE TECHNOLOGY

Kunkul Ryoo

한국표면공학회지

1996 .10

SOI RESURF LDMOS의 표면전계에 대한 해석적 표현

韓承燁 ,  鄭鎭榮 ,  崔然益 외 1명

전기학회논문지

1996 .12

SOI 웨이퍼 제조공정의 온도해석

정경훈 ,  김옥삼

한국동력기계공학회 학술대회 논문집

2000 .05