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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]
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융기된 내부링을 갖는 새로운 SOI LDMOS
전기학회논문지
1998 .08
경사진 게이트를 갖는 Recessed Source SOI LDMOS
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .07
경사진 Field Plate을 갖는 SOI LDMOS에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1995 .11
경사진 드레인 산화막을 갖는 SOI RESURF LDMOS에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
ON 저항이 작은 Recessed Source 구조 SOI LDMOS의 수치해석
전기학회논문지 C
1999 .09
Trench Gate 구조를 이용한 LDMOS의 항복전압 개선
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
SOI RESURF LDMOS의 표면전계에 대한 해석적 표현
전기학회논문지
1996 .12
Characteristics of p-channel SOI LDMOS Transistor with Tapered Field Oxides
[ETRI] ETRI Journal
1999 .06
RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )
대한전자공학회 학술대회
1996 .07
SOI-LDMOS의 드리프트 길이 변화에 따른 전기적 특성의 고온영역 신뢰성 분석
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
Nonlinear Analysis for LDMOS Using Level 3 Extraction Method
한국통신학회 학술대회논문집
2001 .07
트렌치 게이트를 갖는 수평형 SOI 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터
전기학회논문지
1998 .10
Development of Low-Vgs N-LDMOS Structure with Double Gate Oxide for Improving Rsp
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2009 .01
근거리 무선통신용 RF LDMOS 소자의 전기전 특성
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
SOI기판과 트렌치 기법을 이용한 완전 절연된 MOSFET의 전기적인 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
열확산 효과 개선을 위한 트렌치 구조의 SOI 1×2 열광학 스위치 개발
전기전자재료학회논문지
2003 .01
SOI 기술의 연구동향
전자공학회지
1987 .08
1800 MHz 대역 50 W 급 LDMOS 고효율 전류모드 D 급 전력 증폭기의 설계
한국통신학회 학술대회논문집
2004 .07
SOI Wafer를 사용한 트렌치 구조의 수직 Hall 소자의 제작
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .07
트랜치 기법을 이용한 SOI MOSFET의 전기적인 특성에 관한 연구
한국컴퓨터산업교육학회 학술대회
2003 .01
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