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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권
발행연도
2003.1
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In order to reduce driving power consumption, we propose and fabricate a new structure of asymmetric SOI 1×2 thermo-optic switch that has a back side silicon trenched structure. Compared to conventional SOI thermo optic switches without heat sink structure, it shows an improvement of switching power reduction from about 4 watt to 1.8 watt without sacrificing cross talk of about 20 dB at the light wavelength of 1.55 ㎛. Here we also described the main design consideration and fabrication procedure for the proposed device.
#Optical switch #SOI #Thermo optic #MEMS

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