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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]
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ON 저항이 작은 Recessed Source 구조 SOI LDMOS의 수치해석
전기학회논문지 C
1999 .09
트렌치 드레인과 경사진 게이트를 갖는 SOI LDMOS
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
융기된 내부링을 갖는 새로운 SOI LDMOS
전기학회논문지
1998 .08
경사진 Field Plate을 갖는 SOI LDMOS에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1995 .11
SOI RESURF LDMOS의 표면전계에 대한 해석적 표현
전기학회논문지
1996 .12
경사진 드레인 산화막을 갖는 SOI RESURF LDMOS에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
Characteristics of p-channel SOI LDMOS Transistor with Tapered Field Oxides
[ETRI] ETRI Journal
1999 .06
보디 ( Body ) 의 부분적 P+ 도핑 ( Doping ) 을 이용한 Gate-Recessed SOI의 항 복전압 향상 ( Improvement of Breakdown Voltage in Gate-Recessed SOI Using Partial P+ Body Doping )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
보디(Body)의 부분적 p+도핑(Doping)을 이용한 Gate-Recessed SOI의 항복전압 향상
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
게이트가 파인 구조를 이용한 SOI MOSFET에서의 항복전압 개선 ( Breakdown Voltage Improvement in SOI MOSFET Using Gate-Recessed Structure )
전자공학회논문지-A
1995 .12
RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )
대한전자공학회 학술대회
1996 .07
SOI-LDMOS의 드리프트 길이 변화에 따른 전기적 특성의 고온영역 신뢰성 분석
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
Nonlinear Analysis for LDMOS Using Level 3 Extraction Method
한국통신학회 학술대회논문집
2001 .07
Fabrication and Characterization of Self-Aligned Recessed Channel SOI NMOSFETs
Journal of Electrical Engineering and information Science
1997 .08
Trench Gate 구조를 이용한 LDMOS의 항복전압 개선
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
Development of Low-Vgs N-LDMOS Structure with Double Gate Oxide for Improving Rsp
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2009 .01
근거리 무선통신용 RF LDMOS 소자의 전기전 특성
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
SOI 기술의 연구동향
전자공학회지
1987 .08
1800 MHz 대역 50 W 급 LDMOS 고효율 전류모드 D 급 전력 증폭기의 설계
한국통신학회 학술대회논문집
2004 .07
다중 게이트를 이용한 SOI Thin Film Transistor의 특성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
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