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이용수
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
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보디 ( Body ) 의 부분적 P+ 도핑 ( Doping ) 을 이용한 Gate-Recessed SOI의 항 복전압 향상 ( Improvement of Breakdown Voltage in Gate-Recessed SOI Using Partial P+ Body Doping )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
게이트가 파인 구조를 이용한 SOI MOSFET에서의 항복전압 개선 ( Breakdown Voltage Improvement in SOI MOSFET Using Gate-Recessed Structure )
전자공학회논문지-A
1995 .12
경사진 게이트를 갖는 Recessed Source SOI LDMOS
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .07
Back-bias 효과에 의한 SOI소자의 항복전압 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1993 .11
ON 저항이 작은 Recessed Source 구조 SOI LDMOS의 수치해석
전기학회논문지 C
1999 .09
A New SOI inverter Gate for Low Power Applications
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Fabrication and Characterization of Self-Aligned Recessed Channel SOI NMOSFETs
Journal of Electrical Engineering and information Science
1997 .08
SOI 수평형 접합의 항복전압 향상을 위한 Negative Curvature 효과 ( A Negative Curvature Effect for Breakdown Voltage of Lateral Junction on SOI )
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
SOI 웨이퍼의 시드 홀을 이용한 다이오드의 항복 전압과 온 저항 특성
전기학회논문지
1995 .08
Negative Curvature 효과를 갖는 SOI 수평형 접합의 항복 전압
전기학회논문지
1994 .10
SOI 수평형 접합의 항복 전압 향상을 위한 Negative Curvature(NC) 효과
대한전기학회 학술대회 논문집
1993 .11
Fabrication and Characterization of Self-Aligned Recessed Channel SOI NMOSFETs
Journal of Electrical Engineering and Information Science
1997 .08
InP-합성 채널 MHEMT의 리세스 폭의 변화에 대한 주파수 특성과 항복 전압에 관한 비교 연구
대한전자공학회 학술대회
2007 .07
An analysis of new IGBT(Insulator Gate Bipolar Transistor) structure having a additional recessedwith E-field shielding layer
전기전자학회논문지
2007 .12
SOI 기술의 연구동향
전자공학회지
1987 .08
10 nm 이하 DGMOSFET의 항복전압과 채널도핑농도의 관계
한국정보통신학회논문지
2017 .06
수소 플라즈마를 이용한 SOI 기판 제작 및 SOI 전력용 반도체 소자 제작에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .11
Partial SOI 기판을 이용한 고속-고전압 Smart Power 소자설계 및 전기적 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2000 .11
High Frequency Characteristics of Recessed gate GaN MESFETs
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
나노 스케일 SOI MOSFET를 위한 소자설계 가이드라인
전자공학회논문지-SD
2002 .07
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