선택 실리콘 증착에 의해 제조된 Raised Source / Drain MOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of Raised Source / Drain MOSFET fabricated by Selective Silicon Deposition )

김영옥 ,  박순오 ,  이내인 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

실리콘 선택적 결정 성장 공정을 이용한 Elevated Source/drain을 갖는 NMOSFETs 소자의 특성 연구

金營臣 ,  李起岩 ,  朴政浩

전기학회논문지 C

2002 .03

Gate-Induced Drain Leakage를 줄인 새로운 구조의 고성능 Elevated Source Drain MOSFET에 관한 분석 ( Analysis of a Novel Elevated Source Drain MOSFET with Reduced Gate-Induced Drain Leakage and High Driving Capability )

김경환 ,  최장순 ,  김정태 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .06

Optimization of Selective Epitaxial Growth of Silicon in LPCVD

Woo-Seok Cheong

[ETRI] ETRI Journal

2003 .12

RECENT ADVANCES IN SILICON EPITAXIAL GROWTH FOR ADVANCED DEVICE STRUCTURES

John Ogawa Bo ,  land

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

드레인 전압변화 스트레스에 의한 P-MOSFET의 열화 특성 ( Degradation Characteristics of p-MOSFET's by Various Drain Voltage stress )

정연식 ,  권상수 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

EFFECT OF THE ROUGHNESS OF SUBSTRATE SURFACE ON LOW-TEMPERATURE SILICON EPITAXIAL GROWTH

Kwon ,  Sung-Ku ,  Kim 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Symmetric high voltage MOSFET의 extended source/drain 길이에 따른 전기적 특성의 고온영역 신뢰성 분석

임동주 ,  최인철 ,  노태문 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2003 .11

EPS용 MOSFET 드레인 전류 측정 방법에 관한 연구

원우석 ,  이형욱 ,  고수현 외 5명

한국자동차공학회 춘 추계 학술대회 논문집

2008 .11

Optimizing Effective Channel Length to Minimize Short Channel Effects in Sub-50 ㎚ Single/Double Gate SOI MOSFETs

Sudhansh Sha ,  ma ,  Pawan Kuma

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2008 .06

선택적 단결정 실리콘 성장의 고집적 소자 적용 기술

정우석

한국재료학회 학술발표대회

2002 .01

저압 CVD에 의한 Si_0.8Ge_0.2 epitaxial growth에 대한 Phosphorus doping 효과

이철진 ,  엄문종 ,  성만영

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .11

Elevated Polysilicon source/drain 구조와 고유전율 절연막을 적용한 초미세 SOI MOSFET 의 제작 및 특성 연구

임기주 ,  조원주 ,  안창근 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

실리콘 Selective Epitaxial Growth에서 Facet과 결정 결함 및 전기적 특성

신유균 ,  배대록 ,  한민석 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

고 집적을 위한 n-channel MOSFET의 소오스/드레인 구조의 특성 비교에 관한 연구 ( A Study on the Characteristics Comparison of Source/Drain Structure for VLSI in n-channel MOSFET )

류장렬 ,  홍봉식

전자공학회논문지-A

1993 .12

저압 CVD에 의한 Si_0.8Ge_0.2 Epitaxial Growth에 대한 In-situ Phosphorus Doping 효과

李鐵眞

전기학회논문지

1998 .12

Single Source Chemical Vapor Deposition of Epitaxial silicon Carbide Films

Kyung Won Lee ,  Kyu Sang Yu ,  Yun Soo Kim

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

실리콘 선택적 기상 성장을 이용한 마이크로 센서에 응용되는 구조물 제조법

박정호 ,  김종관 ,  김상영 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1995 .07

MOSFET에서 게이트전압에 의존하는 소오스 / 드레인 저항을 추출하는 간단한 방법 ( Simple Extraction Method for Gate-Voltage Dependent Source / Drain Resistance in MOSFETs )

이명복 ,  이정일 ,  강광남 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

전력 MOSFET

崔然益

전기의세계

1985 .05