MOCVD Growth and Characterization of -Doped AIGaAs and AIGaAs / InGaAs HEMT Structures

Gye Mo Yang ,  Sang Gyu Pa ,  k 외 3명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

Low-Field Hole Transport Properties of AIGaAs / GaAs and pseudomorphic AIGaAs / InGaAs Modulation-Doped Heterostructures

S. J. Cho ,  D. S. Shin ,  J. H. Chung 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Photoluminescence Excitation Spectroscopy on InGaAs-GaAs-AIGaAs Asymmetric Double Quantum Wells

고현성 ,  S. J. Rhee ,  J. C. Oh 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

AIGaAs / InGaAs P-HEMT를 이용한 10Gbps용 초고속 전치증폭기 설계 및 제작 특성

양광진 ,  백정기 ,  이진희 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

고출력 InGaAs 레이저 다이오드 제작 ( Fabrication of High Power InGaAs Diode Lasers )

계용찬 ,  손낙진 ,  권오대

전자공학회논문지-A

1994 .10

The Characteristics of Semiconductor Laser Diodes(LDs) Using InGaAs/GaAs Quantum Dots in an In0.1Ga0.9As Quantum Well

허두창 ,  배형철 ,  송진동 외 8명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

0.25㎛ T형 게이트 AIGaAs / InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계 ( The Fabrication of 0.25mm T-shaped Gate AlGaAs / InGaAs P-HEMT and It`s Application to the Input-Matched 3 Stage X-Band LNA Design )

김진명 ,  전연진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

AlGaAs / GaAs / InGaAs Single Quantum Well Laser Diodes with Graded-Strained Structures in INGaAs Layer

Tae Kyung Yoo ,  Ki Woong Chung ,  안도열 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

AlGaAs / GaAs / InGaAs Single Quantum Well Laser Diodes with Graded-Strained Structures in InGaAs Layer

Tae-Kyung Yoo ,  Ki-Woong Chung ,  Doyoel Ahn 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

Contact Resistance Reduction between Ni–InGaAs and n-InGaAs via Rapid Thermal Annealing in Hydrogen Atmosphere

Jeongchan Lee ,  Meng Li ,  Jeyoung Kim 외 4명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2017 .04

금속전극 열처리방법에 따른 고속용 AIGaAs/GaAs 적외선 LED 소자의 특성

李鐵眞 ,  羅龍春 ,  李恩哲 외 2명

전기학회논문지

1996 .09

The Integration of InGaAs p-i-n PD and InP/InGaAs HBT

J.W. Lee ,  D. S. Kim ,  J. H. Lee 외 3명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

원자층성장기법으로 제작된 InGaAs/GaAs 양자점의 구조적 · 광학적 특성과 레이저 다이오드응용

송진동 ,  박영민 ,  신재철 외 8명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

Fabrication of the Microlens-attached AIGaAs / GaAs LED

Gyu Seog Cho ,  O Seung Yang ,  Toung Se Kwon

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1993 .01

Frequency Characteristics to Emitters of AIGaAs / GaAs Power HBTs

조장연 ,  이일형 ,  윤관기 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AIGaAs / InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성 ( Fabrication and Characterization of Si Delta Doped AlGaAs / InGaAs Double Channel P-HEMTs Grown by LP-MOCVD for Power Application )

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Self-Consistent 법에 의한 AIGaAS/GaAs의 이중양자우물구조 공명터널링 다이오드의 전기적 특성 해석

김성진 ,  김종관 ,  허윤종 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .07

GaAs / AIGaAs HEMT's with Delta-Doped Quantum-Wells Grown by LP-MOCVD

Dong Ho Jeong ,  Kyeong Sik Jang ,  Yoon Ha Jeong

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

저압MOCVD법에 의하여 성장한 AIGaAs/GaAs 양장우물구조의 TEM/AES분석 ( TEM/AES Analysis of AIGaAs/GaAs Quantum Well Structures Grown by LP-MOCVD )

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

전자공학회논문지

1990 .05

SIMULATION OF Be DIFFUSION IN InGaAs BASE LAYER OF InGaAs / InP HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS

J. Ma ,  con ,  S. Koumetz 외 4명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1995 .01