AlGaAs / GaAs / InGaAs Single Quantum Well Laser Diodes with Graded-Strained Structures in INGaAs Layer

Tae Kyung Yoo ,  Ki Woong Chung ,  안도열 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

Strained InGaAs / GaAs Multiple Quantum Well의 Line-Broadening Mechanism

오재응 ,  마원석 ,  김득녕 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

The Characteristics of Semiconductor Laser Diodes(LDs) Using InGaAs/GaAs Quantum Dots in an In0.1Ga0.9As Quantum Well

허두창 ,  배형철 ,  송진동 외 8명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

Strained Layer InGaAs / GaAs GRINSCH 양자우물 레이저 ( Strained Layer InGaAs / GaAs GRINSCH Quantum Well Laser )

황석원 ,  양계모 ,  서광석 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1992 .01

AlGaAs / InGaAs / GaAs 이종접합 양자선 - FET의 제작 및 특성

손영진 ,  이봉훈 ,  정문영 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2000 .11

원자층성장기법으로 제작된 InGaAs/GaAs 양자점의 구조적 · 광학적 특성과 레이저 다이오드응용

송진동 ,  박영민 ,  신재철 외 8명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

고출력 InGaAs 레이저 다이오드 제작 ( Fabrication of High Power InGaAs Diode Lasers )

계용찬 ,  손낙진 ,  권오대

전자공학회논문지-A

1994 .10

AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PHEMT 설계ㆍ제작

이응호 ,  조승기 ,  윤용순 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

역 이중채널 구조를 이용한 전력용 AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT의 특성

안광호 ,  정영한 ,  배병숙 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .11

An Improved Calculation Model for Analysis of [111] InGaAs/GaAs Strained Piezoelectric Superlattices

Byoung-Whi Kim ,  Jae-Hoon Yoo ,  Soo Hyung Kim

[ETRI] ETRI Journal

1999 .08

mm파 AlGaAs / InGaAs / GaAs Power PM-HEMT 제작 연구 ( Fabrication of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMT's for mm waves )

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

A Comparative Study of a Dielectric-Defined Process on AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs

Jong-Won Lim ,  Ho-Kyun Ahn ,  Hong-Gu Ji 외 4명

[ETRI] ETRI Journal

2005 .06

δ-Doping and Electric Field Effects on the Energy Dispersions in InGaAs / GaAs Quantum Wells

오정현 ,  장기주 ,  임국현 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Contact Resistance Reduction between Ni–InGaAs and n-InGaAs via Rapid Thermal Annealing in Hydrogen Atmosphere

Jeongchan Lee ,  Meng Li ,  Jeyoung Kim 외 4명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2017 .04

TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY AND PHOTOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION OF InGaAs STRAINED QUANTUM WIRES ON GaAs VICINAL (110) SUBSTRATES

Shim ,  Byoung-R. ,  To 외 10명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Barrier-Thickness Dependent Strain Relaxation in InGaAs / GaAs Multiple Quantum Well Structure

Sang Koo Pa ,  k ,  In Kim 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT를 이용한 MIMIC Power Amplifier 제작 연구 ( Studies on the MIMIC Power Amplifier using the AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT )

이성대 ,  채연식 ,  윤용순 외 3명

전자공학회논문지-SD

2001 .01

Near-Field Photoluminescence Spectroscopy of an InGaAs Quantum Well Grown on Patterned GaAs Substrates

A. Chavez Pi ,  son ,  R. Mu 외 4명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

The Integration of InGaAs p-i-n PD and InP/InGaAs HBT

J.W. Lee ,  D. S. Kim ,  J. H. Lee 외 3명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

Modification of Band Structures in InAs/GaAs Quantum Dot Nanostructures by InGaAs Strain Relief Layer

이웅 ,  명재민

한국재료학회 학술발표대회

2004 .01