MOCVD Growth and Characterization of -Doped AIGaAs and AIGaAs / InGaAs HEMT Structures

Gye Mo Yang ,  Sang Gyu Pa ,  k 외 3명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

AlGaAs/GaAs Quantum-well Delta-doped Channel FET’s Grown by LP-MOCVD

KYEONG-SIK JANG ,  DONG-HO JEONG ,  JEONG-SU LEE 외 1명

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

1991 .08

AlGaAs/GaAs Quantum-well Delta-doped Channel FET`s Grown by LP-MOCVD

Kyeong Sik Jang ,  Dong Ho Jeong ,  Jeong Su Lee 외 1명

International Conference on Electronics, Informations and Communications

1991 .01

저압MOCVD법에 의하여 성장한 AIGaAs/GaAs 양장우물구조의 TEM/AES분석 ( TEM/AES Analysis of AIGaAs/GaAs Quantum Well Structures Grown by LP-MOCVD )

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

전자공학회논문지

1990 .05

저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AIGaAs / InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성 ( Fabrication and Characterization of Si Delta Doped AlGaAs / InGaAs Double Channel P-HEMTs Grown by LP-MOCVD for Power Application )

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Effect of Al-Rich Surface on Se-Doped GaAs Grown by LP-MOCVD

Jong Hee Kim ,  Dae Ho Lim ,  Gye Mo Yang 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MOCVD법을 이용한 AlGaAs / GaAs HEMT의 제작 ( Fabrication of AlGaAs / GaAs HEMT From MOCVD Water )

엄경숙 ,  김용 ,  김무성 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

MOCVD에 의한 Delta-Doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 ( The Fabrication and Characterization of Delta-Doped FET by MOCVD )

강명구 ,  오환술 ,  김무성 외 3명

전자공학회논문지-A

1991 .08

Luminescence Study of Carbon Doped GaAs Grown on GaAs ( 311 ) a Substrate by MOCVD

S. Cho ,  D. Lee ,  C. S. Son 외 4명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

MOCVD 법으로 성장한 HEMT 구조에 형성된 2차원 전자층의 특성평가 ( Characterization of 2-Dimensional Electron Gas Formed in HEMT Structure Grown by MOCVD )

김용 ,  엄경숙 ,  김무성 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

MOCVD에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 ( Growth of GaAs/AlGaAs Superlattice and HEMT Structures by MOCVD )

김무성 ,  김용 ,  엄경숙 외 2명

전자공학회논문지

1990 .02

Low-Field Hole Transport Properties of AIGaAs / GaAs and pseudomorphic AIGaAs / InGaAs Modulation-Doped Heterostructures

S. J. Cho ,  D. S. Shin ,  J. H. Chung 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

저압 MOCVD법을 이용한 Si델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 구조의 저잡음 P-HEMTs의 전기적 특성

전영진 ,  정영한 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

Carbon Doping Characteristics of GaAs Epilayers Grown by MOCVD on GaAs - substrates with various crystal orientations -

Byung Don Min ,  Mann Jang Pa ,  k

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

델타도핑 AlGaAs / InGaAs HEMT 구조의 MOCVD 성장 ( MOCVD Growth of Delta-Doped AlGaAs / InGaAs HEMT Structures )

양계모 ,  박상규 ,  황석원 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

금속전극 열처리방법에 따른 고속용 AIGaAs/GaAs 적외선 LED 소자의 특성

李鐵眞 ,  羅龍春 ,  李恩哲 외 2명

전기학회논문지

1996 .09

단채널 덱타도핑 HEMT의 전압-전류 특성에 대한 2차원적 해석

이정호 ,  채규수 ,  김민년

한국산학기술학회 논문지

2004 .08

단채널 델타도핑 HEMT의 전압-전류 특성에 대한 2차원적 해석

이정호 ,  채규수 ,  김민년

한국산학기술학회 학술대회논문집

2004 .06

Photoluminescence Excitation Spectroscopy on InGaAs-GaAs-AIGaAs Asymmetric Double Quantum Wells

고현성 ,  S. J. Rhee ,  J. C. Oh 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01