Self-Consistent 법에 의한 AlGaAs / GaAs의 이중양자우물 구조 공명터널링 다이오드의 전기적 특성 해석 ( Static I-V Characteristics of DQW Resonant Tunneling Diodes with AlGaAs / GaAs Structure Simulated by a Self-Consistent Method )

김성진 ,  김종관 ,  허윤종 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .07

Self-consistent법에 의한 AIGaAs/GaAs구조 공명터널링 다이오드의 전기적 특성 해석

김성진 ,  박근영 ,  유환성 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

1993 .07

The Current-Voltage Characteristics of DB Resonant Tunneling Diodes Using a Self-Consistent Method

金成振 ,  李尙勳 ,  成英權

전기학회논문지

1993 .12

금속전극 열처리방법에 따른 고속용 AIGaAs/GaAs 적외선 LED 소자의 특성

李鐵眞 ,  羅龍春 ,  李恩哲 외 2명

전기학회논문지

1996 .09

Frequency Characteristics to Emitters of AIGaAs / GaAs Power HBTs

조장연 ,  이일형 ,  윤관기 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

MBE로 성장된 AIGaAs / GaAs HBT의 제작과 전기적 특성 연구

박성호 ,  최인훈 ,  오응기 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Low-Field Hole Transport Properties of AIGaAs / GaAs and pseudomorphic AIGaAs / InGaAs Modulation-Doped Heterostructures

S. J. Cho ,  D. S. Shin ,  J. H. Chung 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Fabrication of the Microlens-attached AIGaAs / GaAs LED

Gyu Seog Cho ,  O Seung Yang ,  Toung Se Kwon

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1993 .01

저압MOCVD법에 의하여 성장한 AIGaAs/GaAs 양장우물구조의 TEM/AES분석 ( TEM/AES Analysis of AIGaAs/GaAs Quantum Well Structures Grown by LP-MOCVD )

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

전자공학회논문지

1990 .05

AIGaAs / GaAs HBT의 열적 스트레스에 의한 소자 특성의 열화 현상

홍성모 ,  이제희 ,  김주민 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Monolithic Integration of a GaAs / AIGaAs Rooftop Reflector Laser and a GaAs Power MESFET

Chang Joon Chae ,  Hyun Ryong Cho ,  Chang Nam Kim 외 1명

대한전자공학회 기타 간행물

1988 .01

MOCVD Growth and Characterization of -Doped AIGaAs and AIGaAs / InGaAs HEMT Structures

Gye Mo Yang ,  Sang Gyu Pa ,  k 외 3명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

AIGaAs / GaAs HBT의 전력 특성에 관한 연구 ( A Study of The Power Characteristics of AlGaAs / GaAs HBTs )

이제희 ,  김연태 ,  송재복 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Phonons in ( GaAs ) n - ( AIGaAs ) n Ultrathin Layer Superlattice

G. H. Pa ,  k ,  Y. M . Kim 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

AlGaAs / GaAs 단일양자 우물구조에서 경사형 포텐셜 모델을 이용한 공명 터널링 현상에 관한 해석 ( Analysis of the Resonant Tunneling in an AlGaAs / GaAs Single Quantum Well Structure Using a Tilted-Potential Model )

김성진 ,  이경윤 ,  김상욱 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

0.25㎛ gate Double-heterostructure AIGaAs/GaAs PHEMT의 성능향상을 위한 디지털 리세스에 대한 연구

류충식 ,  장효은 ,  범진욱

대한전자공학회 학술대회

2002 .06

단일 양자 우물 구조로 된 밴드간 공명 터널링 다이오드의 전류 - 전압 특성 ( I - V Characteristics of resonant interband tunneling diodes with single quantum well structure )

김성진 ,  박영석

전자공학회논문지-D

1997 .04

Photoluminescence Excitation Spectroscopy on InGaAs-GaAs-AIGaAs Asymmetric Double Quantum Wells

고현성 ,  S. J. Rhee ,  J. C. Oh 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

GaAs / AIGaAs HEMT's with Delta-Doped Quantum-Wells Grown by LP-MOCVD

Dong Ho Jeong ,  Kyeong Sik Jang ,  Yoon Ha Jeong

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

전력 및 주파수 특성에 대한 AIGaAs / GaAs 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 최적화 ( The Optimization of the Power and Frequency Characteristics of AlGaAs / GaAs Heterojunction Bipolar Transistors )

홍성모 ,  이재희 ,  원태영 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01