Low-Field Hole Transport Properties of AIGaAs / GaAs and pseudomorphic AIGaAs / InGaAs Modulation-Doped Heterostructures

S. J. Cho ,  D. S. Shin ,  J. H. Chung 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

GaAs / AIGaAs HEMT's with Delta-Doped Quantum-Wells Grown by LP-MOCVD

Dong Ho Jeong ,  Kyeong Sik Jang ,  Yoon Ha Jeong

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

InGaAs/AIGaAs 양자선 레이저에서 관찰된 이상 방출 스펙트럼

김경찬 ,  김태근

대한전기학회 학술대회 논문집

2004 .07

저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AIGaAs / InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성 ( Fabrication and Characterization of Si Delta Doped AlGaAs / InGaAs Double Channel P-HEMTs Grown by LP-MOCVD for Power Application )

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

AIGaAs / InGaAs P-HEMT를 이용한 10Gbps용 초고속 전치증폭기 설계 및 제작 특성

양광진 ,  백정기 ,  이진희 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

저압MOCVD법에 의하여 성장한 AIGaAs/GaAs 양장우물구조의 TEM/AES분석 ( TEM/AES Analysis of AIGaAs/GaAs Quantum Well Structures Grown by LP-MOCVD )

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

전자공학회논문지

1990 .05

0.25㎛ T형 게이트 AIGaAs / InGaAs P-HEMT 제작 및 이를 이용한 입력 정합된 X-밴드 저잡음 증폭기의 설계 ( The Fabrication of 0.25mm T-shaped Gate AlGaAs / InGaAs P-HEMT and It`s Application to the Input-Matched 3 Stage X-Band LNA Design )

김진명 ,  전연진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

Photoluminescence Excitation Spectroscopy on InGaAs-GaAs-AIGaAs Asymmetric Double Quantum Wells

고현성 ,  S. J. Rhee ,  J. C. Oh 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

금속전극 열처리방법에 따른 고속용 AIGaAs/GaAs 적외선 LED 소자의 특성

李鐵眞 ,  羅龍春 ,  李恩哲 외 2명

전기학회논문지

1996 .09

델타도핑 AlGaAs / InGaAs HEMT 구조의 MOCVD 성장 ( MOCVD Growth of Delta-Doped AlGaAs / InGaAs HEMT Structures )

양계모 ,  박상규 ,  황석원 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

Fabrication of the Microlens-attached AIGaAs / GaAs LED

Gyu Seog Cho ,  O Seung Yang ,  Toung Se Kwon

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1993 .01

Frequency Characteristics to Emitters of AIGaAs / GaAs Power HBTs

조장연 ,  이일형 ,  윤관기 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

AIGaAs / GaAs HBT의 열적 스트레스에 의한 소자 특성의 열화 현상

홍성모 ,  이제희 ,  김주민 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

MBE로 성장된 AIGaAs / GaAs HBT의 제작과 전기적 특성 연구

박성호 ,  최인훈 ,  오응기 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

저압-MOCVD법을 이용한 Si 델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 이중 채널 구조의 전력용 P-HEMTs의 제작과 특성

정영한 ,  이정수 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

Self-Consistent 법에 의한 AIGaAS/GaAs의 이중양자우물구조 공명터널링 다이오드의 전기적 특성 해석

김성진 ,  김종관 ,  허윤종 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .07

MOCVD 법으로 성장한 HEMT 구조에 형성된 2차원 전자층의 특성평가 ( Characterization of 2-Dimensional Electron Gas Formed in HEMT Structure Grown by MOCVD )

김용 ,  엄경숙 ,  김무성 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

저압 MOCVD법을 이용한 Si델타도핑된 AlGaAs/InGaAs 구조의 저잡음 P-HEMTs의 전기적 특성

전영진 ,  정영한 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

Phonons in ( GaAs ) n - ( AIGaAs ) n Ultrathin Layer Superlattice

G. H. Pa ,  k ,  Y. M . Kim 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

0.25㎛ gate Double-heterostructure AIGaAs/GaAs PHEMT의 성능향상을 위한 디지털 리세스에 대한 연구

류충식 ,  장효은 ,  범진욱

대한전자공학회 학술대회

2002 .06