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저자정보
李承敏 (원광대학교) 梁種璟 (원광대학교) 趙胄雄 (원광대학교) 李鐘燦 (금호전기) 朴大熙 (원광대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제57권 제12호
발행연도
2008.12
수록면
2,276 - 2,280 (5page)

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In this paper, we present thermal dependancy of LED package element by changing temperature of MCPCB for design high efficiency LED lamp, and confirmed influence of LED chip against temperature with analysis of thermal resistance and thermal capacitance. As increasing temperature, WPOs were decreased from 25 to 22.5 [%] and optical power were also decreased. that is decreased reason of optical power that forward voltage was declined by decrease of energy bandgap. Therefore optical power by temperature of MCPCB should consider to design lamp for street light and security light. Moreover, compensation from declined optical efficiency is demanded when LED package is composed. Also, thermal resistances from chip to metal PCB were decreased from 12.18 to 10.8 [℃/W] by changing temperature. Among the thermal resistances, the thermal resistance form chip to die attachment was decreased from 2.87 to 2.5 [℃/W] and was decreased 0.72 [℃/W] in Heat Slug by chaning temperature. Therefore, because of thermal resistance gap in chip and heat slug, reliability and endurance of high power LED affect by increasing non-radiative recombination in chip from heat.
#High power LED #Thermal resistance #Junction temperature #Efficiency #LED lamp

목차

Abstract
1. 서론
2. 이론 및 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
저자소개

참고문헌 (9)

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1. [학술지(정기간행물)] - N. Holonyak Jr / 1962 / / Appl. Phys. Lett 1 : 82 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - Jianzheng Hu / 2008 / Thermal and Mechanical Analysis of High-Power LEDs With Ceramic Packages / IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY 8 (2) google schola 3. [학술지(정기간행물)] - Takashi Mukai / 1998 / / Journalof Crystal Growth 189/190 : 778 ~ google schola 4. [기타자료] - Nadarajah Narendran / 2002 / Proceedings IESNA Annual Conference: Performance Charateristcs of Light Emitting Diodes google schola 5. [학술지(정기간행물)] - Jianzheng Hu / 2008 / Electrical, optical and thermal degradation of high power GaN/InGaN light-emitting diodes / J. Phys. D: Appl. Phys 41 google schola

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