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이용수
Abstract
1. Introduction
2. Photodetector structure
3. Simulation
4. Experiment and result
5. Conclusion
Acknowledgments
References
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6H-SiC P^(+)n 접합의 항복 전압을 위한 해석적 모형 ( Analytical Model of Breakdown Voltages for 6H-SiC p^(+)n Junction )
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1999 .01
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2014 .01
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1990 .01
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전자공학회논문지
1989 .11
전력 반도체 소자에 적용되는 원통형 PN 접합의 항복전압에 대한 근사식과 민감도
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2008 .12
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1997 .01
10 Gbps Front-illuminated In0.53 Ga0.47 As p-i-n Photodetector with Low Dark Current and High Sensitivity
한국통신학회 학술대회논문집
2002 .11
Extension of the Dynamic Range using the Switching Operation of In-Pixel Inverter in Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensors
센서학회지
2019 .01
백금을 확산한 PN 접합 diode의 전기적 특성
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
백금을 확산한 Pn 접합 Diode의 전기적 특성 ( Electrical Properties of Platinum Diffused Pn Junction Diode )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
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