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자료유형
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저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2011 Conference
발행연도
2011.11
수록면
28 - 31 (4page)

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Most of MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) actuators require high control voltage such as 20V. One of the significant challenges for MEMS implementation on Si CMOS is that the control voltage exceeds pn-junction breakdown voltage. The present work proposes a charge pump circuit that can generate higher output voltage than the breakdown voltage by applying appropriate bias voltages to backgate and deep-N-well of N-MOSFETs. Measurements showed that the prototype can generate DC voltage of 21V in 0.18 μm Si CMOS with 11V and 15V breakdown voltage of pn-junction.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DESIGN OF THE PROPOSED CHARGE PUMP CIRCUI
III. MEASUREMENT RESULTS
IV. CONCLUSION
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

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