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We have studied the variable conditions of reactive sputtering to prepare AIN thin film. The leakage current showed below 10??A/㎠ at the deposition temperature of 250℃ and 300℃ in the field of 0.1 ㎹/㎝, and it was gradually increased and to be saturated in 0.2 ㎹/㎝. The C-V characteristics of the above mentioned deposition temperature conditions showed a deep depletion phenomenon at inversion region. The C-V characteristics showed similarly under the DC power conditions of 100 and 150 W but were degraded at 200W. When the DC power was 100, 200, and 300 W the dielectric breakdown phenomenon was shown in 2.8, 3.2 and 5.2 ㎹/㎝, respectively. It was found that AIN film was dominated by Poole-Frenkel conduction mechanism.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
저자소개
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