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The (Sr<SUB>0.85</SUB>Cao<SUB>0.15</SUB>)TiO₃(SCT) thin films were deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiN/SiO₂/Si) using RF sputtering method according to the deposition condition. The crystallinity of SCT thin films were increased with increase of deposition temperature in the temperature range of 100~500[℃]. The optimum conditions of RF power and Ar/O₂ ratio were 140[W] and 80/20, respectively. Deposition rate of SCT thin films was about 18.75[Å/min] at the optimum condition. The composition of SCT thin films deposited on Si substrate is close to stoichiometry (1.102 in A/B ratio). The maximum dielectric constant of SCT thin film was obtained by annealing at 600℃.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (13)
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1. [학술지(정기간행물)] - KANJI MURANO / 1982. / Dielectric Properties of Ceramics in the system TiO3-Bi2O3.3TiO2 and Their Applications in a High-Voltage Capacitor 65 : 554 ~ 560
2. [학술지(정기간행물)] - D. W. Hoffman / 1982. / Internal Stresses in Cr and Pt Films Deposited by Sputtering from a Planar Magnetron Sources 20 : 355 ~ 358
3. [학술지(정기간행물)] - S. Matsubara / 1989. / Preparation of epitaxial ABO3 Perovskite-type Oxide Thin Films on a 66 : 5826 ~ 5832
4. [학술지(정기간행물)] - Mustafa A. Mohammed / 1989. / Tantalum Oxide Films for Monolithic capacitor Application 176 : 45 ~ 53
5. [학술지(정기간행물)] - 김진사 / 2004. / RF 스퍼터링법에 의한 SCT 박막의 기판온도 영향 53C (10) : 505 ~ 509
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5. [학술지(정기간행물)] - 김진사 / 2004. / RF 스퍼터링법에 의한 SCT 박막의 기판온도 영향 53C (10) : 505 ~ 509
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