능동형 유기 발광 다이오드(AMOLED)에서 발생하는 수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Transistor)의 이력 (Hysteresis) 현상

崔成煥; 李在訓; 申光燮; 朴重炫; 申熙善; 韓民九

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저자정보: 崔成煥 (서울대학교) 李在訓 (서울대학교) 申光燮 (서울대학교) 朴重炫 (서울대학교) 申熙善 (서울대학교) 韓民九 (서울대학교)

저널정보: 대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제56권 제1호

발행연도: 2007.1

수록면: 112 - 116 (5page)

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We have investigated the hysteresis phenomenon of a hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) and analyzed the effect of hysteresis phenomenon when a-Si:H TFT is a pixel element of active matrix organic light emitting diode (AMOLED). When a-Si:H TFT is addressed to different starting gate voltages, such as 10V and 5V, the measured transfer characteristics with 1㎂ at V<SUB>DS</SUB> = 10V shows that the gate voltage shift of 0.15V is occurred due to the different quantities of trapped charge. When the step gate-voltage in the transfer curve is decreased from 0.5V to 0.05V, the gate-voltage shift is decreased from 0.78V to 0.39V due to the change of charge de-trapping rate. The measured OLED current in the widely used 2-TFT pixel show that a gate-voltage of TFT in the previous frame can influence OLED current in the present frame by 35% due to the change of interface trap density induced by different starting gate voltages.

#a-Si:H TFT #OLED #Hysteresis Phenomenon

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