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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 6 - 10 (5page)
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The dependence of hysteresis characteristics in low temperature poly-Si (LTPS) thin film transistors (TFTs) on the gate-source voltage (Vgs) or the drain-source voltage (Vds) bias is investigated and discussed. The hysteresis levels in both p-type and n-type LTPS TFTs are independent of Vds bias but increase as the sweep range of Vgs increases. It has been found that the hysteresis in both p-type and n-type LTPS TFTs originated from charge trapping and de-trapping in the channel region rather than at the source/drain edges.
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