능동형 유기 발광 다이오드(AMOLED)에서 발생하는 수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Transistor)의 이력 (Hysteresis) 현상

崔成煥 ,  李在訓 ,  申光燮 외 3명

전기학회논문지

2007 .01

수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 이차원 소자 시뮬레이터 TFT2DS

崔淙宣 ,  Ge ,  old W. Neudeck

전기학회논문지 C

1999 .01

저온 Poly-Si TFT 소자의 Hysteresis 특성 개선

정훈주 ,  조봉래 ,  김병구

한국정보전자통신기술학회 논문지

2009 .03

Tunnel Field-Effect Transistor에서의 온도변화에 따른 높은 게이트 전압에서의 전류감소 현상분석

박의환 ,  김현우 ,  김장현 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2014 .11

P-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 전압 기입 AMOLED 화소회로

정훈주

한국정보기술학회논문지

2013 .03

AMOLED 디스플레이에서 TFT의 히스테리시스에 의해 발생하는 잔상 개선

정훈주 ,  정명훈

한국정보기술학회논문지

2010 .02

온도 변화에 따른 유기 전기 발광 소자의 전압-전류 특성

金相杰 ,  洪眞雄 ,  金泰玩

전기학회논문지 C

2002 .07

문턱전압 열화를 최소화하는 비정질 실리콘 TFT 유기 EL 용 화소 회로

이혜진 ,  유봉현 ,  이재훈 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2004 .11

산화물 반도체의 빛에 의한 이력현상 분석

이수연 ,  김선재 ,  이영욱 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2010 .07

더블 게이트 구조 적용에 따른 IGZO TFT 특성 분석

김지원 ,  박기찬 ,  김용상 외 1명

전기전자재료학회논문지

2020 .01

저전압에서 다결정 실리콘 TFT의 불균일한 특성을 보상한 새로운 AMOLED 구동회로

김나영 ,  이문석

전자공학회논문지-SD

2009 .08

평판 표시기를 위한 수소화된 비정질실리콘 박막트랜지스터의 제작 ( Fabrication of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin-Film Transistors for Flat Panel Display )

김남덕 ,  김충기 ,  최광수 외 2명

전자공학회논문지

1987 .05

수소 처리시킨 N-채널 다결정 실리콘 TFT에서 스트레스 인가에 의한 핫캐리어의 감지 특성

이종극 ,  이용재

센서학회지

2003 .01

실리콘 산화막을 이용한 수소화된 비정질 실리콘 박막트랜지스터 제작 ( Fabrication on Amorphous Silicon Thin Film Transistors Using the SiO2 Film )

이경하 ,  전정목 ,  이태진 외 1명

전자공학회논문지-A

1992 .05

비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 회로 해석 모델링

최홍석 ,  박진석 ,  최연익 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1990 .11

Hydrogenated a-Si TFT Using Ferroelectrics

Chang-Wu Hu

한국정보통신학회논문지

2005 .06

n+ ―p ― p+ 다이오드의 전압 전류 특성 해석 ( The J-V characteristics of n+ ―p ― p+ diodes )

이미희 ,  장호수 ,  이상조 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

게이트 길이와 게이트 폭에 따른 InGaZnO 박막 트랜지스터의 소자 특성 저하

이재기 ,  박종태

한국정보통신학회논문지

2012 .06

비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 회로 분석을 위한 해석적 모델링

崔弘錫 ,  朴珍奭 ,  吳彰浩 외 3명

전기학회논문지

1991 .05

비정질 실리콘 박막트랜지스터 문턱전압의 온도 의존성

李愚宣 ,  李殷求 ,  崔淙宣

전기학회논문지

1997 .01