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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.9 No.1
- 발행연도
- 2009.3
- 수록면
- 14 - 21 (8page)
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A digital differential transmitter based on CMOS inverter worked up to 2.8 Gbps at the supply voltage of 1 V with a 0.18 ㎛ CMOS process. By calibrating the output impedance of the transmitter, the impedance matching between the transmitter output and the transmission line is achieved. The PVT variations of pre-driver are compensated by the calibration of the rising-edge delay and falling-edge delay of the pre-driver outputs. The chip fabricated with a 0.18 ㎛ CMOS process, which uses the standard supply voltage of 1.8 V, gives the highest data rate of 4 Gbps at the supply voltage of 1.2 V. The proposed calibration schemes improve the eye opening with the voltage margin by 200% and the timing margin by 30%, at 2.8 Gbps and 1 V.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. ARCHITECTURE
Ⅲ. CIRCUIT DESCRIPTION
Ⅳ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅴ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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