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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.2
- 수록면
- 9 - 14 (6page)
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본 연구에서는 sapphire 기판위에 P (phosphorus) 도핑된 ZnO 박막을 제작한 후, 산소 분위기에서 후열 처리 온도가 박막의 전기적 및 광학적 특성에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. XRD 측정 결과, 후열 처리 온도에 무관하게 모든 박막이 c축 배향성을 나타내었다. Hall 측정 결과, 850℃에서 후열 처리한 박막에서만 p형 전도 특성이 관찰되었다. 이때의 홀 캐리어 농도와 홀 이동도는 각각 1.18×1016㎝<SUP>-3</SUP>과 0.96㎠/Vs의 값을 나타내었다. 저온 PL 측정 결과, 850℃에서 후열 처리한 박막의 경우 p형 특성을 나타내는 상당량의 억셉터가 관련된 A0X (3.351eV), FA (3.283eV) 및 DAP (3.201eV) 피크가 관찰되었다. 향후 P 도핑된 ZnO 박막의 공정 조건과 후열 처리 조건을 최적화 시킨다면, 차세대 광소자에 응용될 수 있는 매우 유망한 재료로 주목받을 것으로 기대된다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (18)
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1. [학술지(정기간행물)] - Dae-Kue Hwang / 2008 / Effect of pressure on the properties of phosphorus-doped p-type ZnO thin films grown by radio frequency-magnetron sputtering / Appl. Phys. Lett 92 : 161109 ~
2. [학술지(정기간행물)] - Dae-Kue Hwang / 2007 / ZnO thin films and light-emitting diodes / J. Phys. D: Appl. Phys 40 : R387 ~ R413
3. [학술지(정기간행물)] - Veeramuthu Vaithianathan / 2005 / Pulsed-laser-deposited p-type ZnO films with phosphorus doping / J. Appl. Phys. 98 : 043579 ~
4. [학술지(정기간행물)] - Yu-Jia Zeng / 2005 / Realization of p-type ZnO films via monodoping of Li acceptor / J.Cryst. Grwoth 283 : 180 ~ 184
5. [학술지(정기간행물)] - L. P. Dai / 2008 / The recent advances of research on p-type ZnO thin film / J Mater Sci: Mater Electron 19 : 727 ~ 734
2. [학술지(정기간행물)] - Dae-Kue Hwang / 2007 / ZnO thin films and light-emitting diodes / J. Phys. D: Appl. Phys 40 : R387 ~ R413
3. [학술지(정기간행물)] - Veeramuthu Vaithianathan / 2005 / Pulsed-laser-deposited p-type ZnO films with phosphorus doping / J. Appl. Phys. 98 : 043579 ~
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