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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제26권 제2호
발행연도
2013.1
수록면
83 - 86 (4page)

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ZnO 박막에 대한 광학적 특성을 연구하고자 PL (photoluminescence) 분광학을 이용하였으며 시료의 온도는 10 K에서 290 K로 변화시켰다. 10 K에서 살펴본 스펙트럼은 ZnO와 관련한 특징적인 발광선을 보여주었다: 자유 엑시톤 (FX) at 3.369 eV, 중성 도너에 속박된 엑시톤 (D0X) at 3.360 eV, 두 전자 위성 (TES) at 3.332 eV, 중성 도너에 속박된 엑시톤-1LO (D0X-1LO) at 3.289 eV, 그리고 도너-억셉터 쌍 천이 (DAP) at 3.217 eV. 온도에 따른 스펙트럼 상의 변화에서 시료의 온도가 올라감에 따라 두 가지 성질을 발견할 수 있었다. (1) 속박된 엑시톤이 점차 자유 엑시톤으로 변화하고 있었다. (2) 도너-억셉터 쌍 (DAP)이 자유전자-억셉터 천이 (e,A0)로 발전하였다. 자유 엑시톤의 강도는 온도의 상승과 함께 증가하였는데 이것은 속박 엑시톤이나 속박 엑시톤과 관련한 천이 (TES, D0X-1LO)의 강도가 감소하는 현상과 함께 나타났다. 80 K에서 도너-억셉터 쌍 (DAP) 천이가 사라지는 반면 30 K에서 자유전자-억셉터 천이 (e,A0)가 나타나기 시작했다.
#ZnO #Thin film #PL

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