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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 36 - 42 (7page)
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This paper presents a review of an improved high power-high frequency III-V wide bandgap (WBG) semiconductor device, Gallium Nitride (GaN). The device offers better efficiency and thermal management with higher switching frequency. By having higher blocking voltage, GaN can be used for high voltage applications. In addition, the weight and size of passive components on the printed circuit board can be reduced substantially when operating at high frequency. With proper management of thermal and gate drive design, the GaN power converter is expected to generate higher power density with lower stress compared to its counterparts, Silicon (Si) devices. The main contribution of this work is to provide additional information to young researchers in exploring new approaches based on the device’s capability and characteristics in applications using the GaN power converter design.
목차
ABSTRACT
1. Introduction
2. GaN Device Fabrication Technology
3. GaN Material’s Properties and Comparison with Other Devices
4. Issues in WBG Semiconductor Devices
5. High Frequency Demonstration Using GaN Device
6. Conclusion
Acknowledgment
References
참고문헌 (21)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - M.A. Khan / 2005 / New Developments in Gallium Nitride and the Impact on Power Electronics / Power Electronics Specialist Conference : 15 ~ 26
2. [학술지(정기간행물)] - M. Micovic / 2000 / GaN/AlGaN high electron mobility transistors with fT of 110 GHz / Electronic Letters 36 : 358 ~ 359
3. [학술지(정기간행물)] - N.Q. Zhang / 2000 / High breakdown GaN HEMT with overlapping gate structure / Electron Device Letters IEEE 21 (9) : 21 ~ 423
4. [학술지(정기간행물)] - M. Hikita / 2005 / AlGaN/GaN power HFET on silicon substrate with source-via grounding (SVG) structure / IEEE Transactions on Electron Devices 52 (9) : 1963 ~ 1968
5. [보고서] - L.M. Tolbert / 2005 / Power Electronics For Distributed Energy Systems and Transmission And Distribution Applications
2. [학술지(정기간행물)] - M. Micovic / 2000 / GaN/AlGaN high electron mobility transistors with fT of 110 GHz / Electronic Letters 36 : 358 ~ 359
3. [학술지(정기간행물)] - N.Q. Zhang / 2000 / High breakdown GaN HEMT with overlapping gate structure / Electron Device Letters IEEE 21 (9) : 21 ~ 423
4. [학술지(정기간행물)] - M. Hikita / 2005 / AlGaN/GaN power HFET on silicon substrate with source-via grounding (SVG) structure / IEEE Transactions on Electron Devices 52 (9) : 1963 ~ 1968
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