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Korean Society for Precision Engineering International Journal of Precision Engineering and Manufacturing International Journal of Precision Engineering and Manufacturing Vol.10 No.1
발행연도
2009.1
수록면
99 - 102 (4page)

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This paper presents the results of our ab initio study of energy configurations, minimum energy path (MEP), and migration energy for neutral indium diffusion in a uniaxially and biaxially tensile-strained {100} silicon layer. Our ab initio calculation of the electronic structure allowed determination of the transient atomic configurations during indium diffusion in strained silicon. We found that the lowest energy structure (InS-Si<SUB>i</SUB><SUP>Td</SUP>) consists of indium located on a substitutional site while stabilizing the silicon self-interstitial in a nearby tetrahedral position. Our ab initio calculation implied that the next lowest energy structure is In<SUB>i</SUB><SUP>Td</SUP>, the interstitial indium at the tetrahedral position. We used the nudged elastic band method to estimate the MEP between the two structures. Or results indicated that the diffusion pathway of neutral indium remains unchanged, while the migration energy of indium fluctuates in strained silicon.
#Ab initio calculation #Indium #Migration energy #Diffusion pathway #Strained silicon #Stress effects

목차

1. Introduction
2. Ab initio Calculations of Indium Diffusion
3. Results and Discussion
4. Conclusions
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
송준엽 / 2006 / Development of Defect Inspection system for PDP ITO Patterned Glass / International Journal of Precision Engineering and Manufacturing 7(3):18~23 google schola Kizilyalli, I. C / 1996 / Diffusion Parameters of Indium for Silicon Process Modeling / Journal of Applied Physics 80(9):4944~4947 google schola Griffin, P. B / 1998 / Indium Transient Enhanced Diffusion / Applied Physics Letters 73(20):2986~2988 google schola Lin, L / 2005 / Theoretical Study of B Diffusion with Charged Defects in Strained Si / Physical Review B 72(20):205206-1~205206-8 google schola Jeong, J. W / 2001 / Atomic and Electronic Structures of a Boron Impurity and Its Diffusion Pathways in Crystalline Si / Physical Review B 64(23):235204-1~235204-9 google schola

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