The Study for Transient Enhanced Diffusion of Indium and Its Application to 0.13 µm Logic Devices

이준하; 이흥주

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이준하 이흥주

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제6호

발행연도: 2004.1

수록면: 211 - 214 (4page)

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We developed a new systematic calibration procedure which was applied to the calibration of the diffusivity, segregation and TED model of the indium impurity. The TED of the indium impurity has been studied using 4 different groups of experimental conditions. Although the indium is susceptible to the TED, the RTA is effective to suppress the TED effect and maintain a steep retrograde profile. Like the boron, the indium shows significant oxidation-enhanced diffusion in silicon and has segregation coefficients at the Si/SiO2 interface much less than 1. In contrast, however, the segregation coefficient of indium decreases as the temperature increases. The accuracy of the proposed technique is validated by SIMS data and 0.13 µm device characteristics such as Vth and Idsat with errors less than 5 % between simulation and experiment.

#Indium #Transient enhanced diffusion #Logic devices #Calibration #Simulation

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/ 1993. / and H. H. Hansen Indium channel implant for improved short-channel behavior of sub-micrometer NMOSFET’s 14 (8) : 409 ~

/ 1996. / Diffusion parameters of indium for silicon process modeling 80 (9) : 4944 ~

/ 1997. / Study of Indium Doping Effect on High Performance Sub-quarter Micron NMOS : 510 ~

/ 1997. / Transient-enhanced Diffusion of Indium and its Effects on Electrical Characteristics of Deep Sub-micron nMOSFETs : 85 ~

/ 2002. / A coupled schrodinger drift-diffusion model for quantum semiconductor device simulations 181 (1) : 222 ~

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이흥주

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