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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.11
- 수록면
- 1,724 - 1,729 (6page)
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We have studied the lithium absorption in crystalline silicon with the strain effects on unit cell using density functional theory calculation. We have concluded that the dependences of the lithium diffusion were on the local volume and environmental. In the various strained cells, the effect of the lattice deformation about migration barriers for the motion of the lithium atom has been fit on the linear regression equation based on the volume of silicon surrounding lithium impurity and the migration distance of lithium atom. This result has applied to the calculation of diffusion coefficient in amorphous silicon which was generated by annealing from crystalline structure at 3000K. The migration barriers and attempt frequency, by Arrhenius formula, of lithium in the amorphous silicon structures has been determined by local environment using the linear regression equation. Then, the statistical method, kinetic Monte Carlo method, has been demonstrated for the diffusion coefficient of lithium. Finally, we have parameterized in terms of the amorphous effects into Arrhenius diffusion formula. This study have supported that the diffusion of lithium in amorphous silicon is faster than that in crystalline silicon.
목차
Abstract
1. 서론
2. 방법론
3. 비정질 실리콘
4. 변형에 따른 확산계수
5. 비정질 실리콘 내에서의 리튬 확산
6. 결론
참고문헌
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