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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제41권 제5호
발행연도
2008.10
수록면
199 - 204 (6page)

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Indium tin oxide (ITO) has been commonly used as an anode for organic light emitting diode (OLED), because of its relatively high work function, high transmittance, and low resistance. The ITO was mostly deposited by capacitive type DC or RF sputtering. In this study we introduced a new facing target sputtering method. On applying this new sputtering method, the effect of fundamental deposition parameters such as substrate heating and post etching were investigated in relation to the resultant I-V-L characteristics of OLED. Three kinds of ITOs deposited at room temperature, at 400℃ and at 400℃ with after surface modification by O₂ plasma etching were compared. The OLED on ITO deposited with substrate heating and followed by etching showed better I-V-L characteristics, which starts to emit light at 4 volts and has luminescence of 65 cd/㎡ at 9 volts. The better I-V-L characteristics were ascribed to the relevant surface roughness with uniform micro-extrusions and to the equi-axed micromorphology of ITO surface.
#Organic light emitting diode(OLED) #Facing target sputtering(FTS) #Indium-tin-oxide(ITO) #Surface roughness #Microstructure

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

참고문헌 (21)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - B. Choi / 2000 / / Appl. Phys. Lett 76 : 412 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - C. T. Lee / 2001 / / Thin Solid Films 386 : 105 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - Z. Z. You / 2007 / / Microelectron. J 38 : 108 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - J. Schwarz / 2003 / / Synth. Met 138 : 425 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - X. H. Sun / 2003 / / Chem. Phys. Lett 370 : 425 ~ google schola

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