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대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.5 No.2
발행연도
2005.6
수록면
77 - 82 (6page)

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We compare electrical and optical properties of organic light emitting diodes (OLEDs) using rhodiumoxide-coated indium-tin-oxide (O₂-Rh/ITO) to that using O₂-plasma-treated ITO (ITO) anodes. The turn-on voltage decreased from 7 V to 5 V and luminance value increased when the O₂plasma treated Rh layer was deposited on ITO. Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy results showed the dipole energies of both ITO and O₂-Rh/ITO were same with each other, - 0.3 eV, meaning the formation of same amount of interface dipole. The secondary electron emission spectra revealed that the work function of O₂-Rh/ITO is higher by 0.2 eV than that of ITO, resulting in the decrease of the turn-on voltage via reduction of hole injection barrier.

목차

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Experiment

Ⅲ. Results and Discussion

Ⅳ. Conclusions

Acknowledgments

References

저자소개

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